512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | TSOP1 |
| 包装说明 | 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 1,2,1,7 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 8 mm |
| AT49BV040A-70TI | AT49BV040A-70JI | AT49BV040A | AT49BV040A-70VI | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO32 |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512K × 8 | 512KX8 |
| 表面贴装 | YES | YES | Yes | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | J BEND | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | 双 | DUAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | TSOP1 | QFJ | - | TSOP1 |
| 包装说明 | 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 | PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | - | 8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32 |
| 针数 | 32 | 32 | - | 32 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | - | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns | 70 ns | - | 70 ns |
| 启动块 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES | YES | - | YES |
| 数据轮询 | YES | YES | - | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | R-PQCC-J32 | - | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 18.4 mm | 13.97 mm | - | 12.4 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bi | - | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | - | FLASH |
| 湿度敏感等级 | 3 | 2 | - | 3 |
| 部门数/规模 | 1,2,1,7 | 1,2,1,7 | - | 1,2,1,7 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | - | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | - | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | QCCJ | - | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 | LDCC32,.5X.6 | - | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | CHIP CARRIER | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 225 | - | 240 |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | - | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V | 2.7 V | - | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 3.556 mm | - | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K,8K,32K,64K | 16K,8K,32K,64K | - | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | - | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA | - | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | - | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - | 3 V |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 0.5 mm | 1.27 mm | - | 0.5 mm |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - | 30 |
| 切换位 | YES | YES | - | YES |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | - | NOR TYPE |
| 宽度 | 8 mm | 11.43 mm | - | 8 mm |
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