Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-13, TO-13, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hi-Tron Semiconductor Corp |
| 零件包装代码 | TO-13 |
| 包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-XUPM-D3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 24 |
| JEDEC-95代码 | TO-13 |
| JESD-30 代码 | O-XUPM-D3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | SOLDER LUG |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管元件材料 | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 0.18 MHz |
| 2N156 | 2N1183 | 2N1183A | 2N1184A | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-13, TO-13, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-8, Metal, 3 Pin, TO-8, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-8, Metal, 3 Pin, TO-8, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-8, Metal, 3 Pin, TO-8, 3 PIN |
| 厂商名称 | Hi-Tron Semiconductor Corp | Hi-Tron Semiconductor Corp | Hi-Tron Semiconductor Corp | Hi-Tron Semiconductor Corp |
| 零件包装代码 | TO-13 | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| 包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-XUPM-D3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| 配置 | Single | Single | Single | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 24 | 20 | 20 | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-13 | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| JESD-30 代码 | O-XUPM-D3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 100 °C | 100 °C | 100 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W | 1 W | 1 W | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | SOLDER LUG | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | UPPER | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | GERMANIUM | GERMANIUM | GERMANIUM | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 0.18 MHz | 0.5 MHz | 0.5 MHz | 0.5 MHz |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 | e0 |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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