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5.0SMCJ40

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小848KB,共5页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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5.0SMCJ40概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

5.0SMCJ40规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压54.3 V
最小击穿电压44.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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5.0SMCJ12
thru
5.0SMCJ170A
5000W
Transient Voltage Suppressor
FEATURES
5000 W peak pulse power capability with
a 10/1000 µs waveform
Excellent clamping capability
Very fast response time
Low incremental surge resistance
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
Solder dip 275 °C, 10s
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
DO-214AB(SMC)
APPLICATIONS
For use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by
lightning or
inductive load switching.
Key applications include protection of I/O
interfaces, industrial and LED lighting applications,
DC power buses, and other
vulnerable circuits used in consumer electronics.
For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g.5.0SMCJ12CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AB (SMC)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable perJ-STD-002 and JESD22-B102
Marking:
Laser marking band denotes cathode end or device code; Unidirectional-Device Code
and Cathode Band; Bidirectional-Device Code Only
MAXIMUM RATINGS
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform
(1)
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform
(1)
Steady state power dissipation at T
L
= 75 °C, lead length 0.375"(9.5mm)
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
P
M(AV
)
VALUE
Minimum 5000
UNIT
W
A
W
A
V
°C
See Next Table
8.0
500
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
(2)
Instantaneous forward voltage at 100A
(3)
I
FSM
V
F
T
J
, T
STG
3.5
- 55 to + 175
Operating junction and storage temperature range
Notes:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA=25 °C per Fig. 2.
2. Mounted on cooper pad area of 0.8 x 0.8" (20x20mm) Per Fig.5.
3.Measured on 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
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