Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 3.0SMCJ30C

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3.0SMCJ30C: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小718KB，共6页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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3.0SMCJ30C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ30C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	41.7 V
最小击穿电压	33.3 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	6 W
最大重复峰值反向电压	30 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

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3.0SMCJ7.0 thru

3.0SMCJ170CA

Transient Voltage Suppressors

Peak Pulse Power 3000W Stand-off Voltage

170V

Features

■

3000 W peak pulse power capability with

a 10/1000 µs waveform

Excellent clamping capability

Fast

response time

Low incremental surge resistance

Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

Solder dip 275°C, 10s

Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

DO-214AB(SMC)

Applications

For use

in sensitive electronics protection against voltage transients induced by

lightning or

inductive load switching.

Key applications include protection of I/O

interfaces, industrial and LED lighting applications,

DC power buses, and other

vulnerable circuits used in consumer electronics.

For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g.3.0SMCJ7.0CA).

Electrical characteristics apply in both directions.

Case:

DO-214AB (SMC)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Terminals:

Matte tin plated leads, solderable perJ-STD-002 and JESD22-B102

Marking:

Laser marking band denotes cathode end or device code; Unidirectional-Device Code

and Cathode Band; Bidirectional-Device Code Only

Mechancial Data

Absolute Maximum Ratings

Parameter

=25°C

unless

otherwise specified)

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform

(1)

(Fig. 3)

Peak power pulse current with a 10/1000 µs waveform

(1)

(Fig. 1)

PPM

3000

See Next Table

250

6.0

3.5

- 65 to + 175

°C

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

(2)

Power dissipation on infinite heatsink at T

= 75 °C (Fig. 6)

Maximum instantaneous forward voltage at 100A

(2)

Operating junction and storage temperature range

FSM

, T

STG

Notes:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

= 25 °C per Fig. 2

(2) Measured on 8.3 ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

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