Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1815S(TO-252)

文档预览

2SD1815S(TO-252): 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小156KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

下载文档详细参数全文预览

2SD1815S(TO-252)概述

Transistor

2SD1815S(TO-252)规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow

2SD1815S(TO-252)文档预览

下载PDF文档

全文
预览

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-252 Plastic-Encapsulate Transistors

2SD1815

TRANSISTOR (NPN)

TO-252

FEATURES

Low

Collector-to-Emitter

Saturation Voltage

Excllent

Linearity

of h

High f

Fast

Switching Time

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise note)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

120

100

150

-55 to +150

Unit

℃

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base

-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

Storage time

Fall time

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

FE(1)

70-140

100-200

140-280

200-400

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

BE(sat)

=50V,I

=1.5A, I

=-I

=-0.15A

Test

=10μA, I

=1mA, I

=10μA, I

=100V, I

=4V, I

=5V, I

=500mA

=5V, I

=2A

=1.5A, I

=150mA

=1.5A, I

=150mA

=10V, I

=500mA

=10V, I

=0, f=1MHz

180

100

900

0.4

1.2

MHz

conditions

Min

120

100

400

Typ

Max

Unit

μA

A,Feb,2011

推荐资源

格兰仕WP700型微波炉维修两例-厨房电器

MXCHIP+Open1081开发板硬件: 本帖最后由 yinyue01 于 2014-12-28 23:56 编辑图片上传比较麻烦，直接用word文档吧183903 ...; yinyue01 无线连接

有人在用派力肯的箱子或者包吗？: 前几天看到一本派力肯的宣传册，看到上面有几款包不错，这几天天天看，隐隐约约有点着魔的迹象:sexy: 发上来大家欣赏下 145512145513 首先看中了这款包，实用背包，带电脑保护箱，这个保护 ......; mmmllb 聊聊、笑笑、闹闹

寻：windows ce驱动及底层开发人员: 现有一国外项目需要有windows ce驱动或底层开发经验的人，有意者请msn或邮件联系：jackin_lau@hotmail.com...; seasonings 嵌入式系统

一线研发之声之软硬交互“自学习匹配”的秘密: 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:07 编辑【转】一个产品推出三四年，功能常常越加越多，外围器件也难免更新换代。这个时候，如何让新程序兼容老客户手上的旧机器，就是一件很值得研究 ......; 模拟IC 模拟与混合信号

EEWORLD大学堂----直播回放: TI DLP 技术在汽车行业的创新应用 - 增强型抬头显示: 直播回放: TI DLP 技术在汽车行业的创新应用 - 增强型抬头显示：https://training.eeworld.com.cn/course/4525...; hi5 综合技术交流

TI官网下载的BLDC3_1程序编译总是失败？: 如题。用CCS5.5.0打开3.3版本的程序，编译始终报错如图。是因为CCS版本的问题吗？还是我哪里操作错误了呢？求指点迷津！218945...; 木木木JS 微控制器 MCU

美国MIT取得可伸缩电子组件制造技术新突破

美国研究人员开发出一种原理与车窗隔热贴纸剥落类似的方法，可望有助于精确控制可伸缩电子组件(stretchableelectronics)的制造。可伸缩电子组件能让电子装置嵌入到衣物、手术用手套、电子纸或是其它软性材料中，但却不容易制造，因为内部的电气布线会在组件材料扭转的时候被损毁。像是石墨烯(graphene)这类超薄、可挠又强韧的材料，是做为可伸缩电子组件的理想候选方案；美...[详细]
ST 推出高温栅灵敏型双向晶闸管

意法半导体推出首款栅灵敏度10mA、额定工作温度高达150℃的双向晶闸管。通过节省散热器、栅驱动电源和缓冲电路，新产品可以让设计人员为加热器、电机、小家电开发低成本的电源驱动解决方案。全新产品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大额定电流分别为4A、6A、8A和10A。10mA的低栅电流让双向晶闸管可直接进行逻辑级开关操作，这个优点可减少元器件的数量，降低电源的尺...[详细]
7月上旬主流MLC NAND Flash合约价小幅下跌

研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示，由于7月仍处于NANDFlash主要应用产品存储卡及UFD的传统淡季，因此7月初采购意愿仍低，上游供应商也持续地小幅调低主流MLCNANDFlash合约价，以提高客户在淡季的采购意愿，因此7月上旬主流的MLCNANDFlash合约价大致呈现小幅下跌约1%到5%。以主流颗粒32GbMLC及16GBML而言，集邦科技表示...[详细]
NOR闪存公司Numonyx落户上海外高桥

日前，全球最大NOR闪存公司Numonyx出资超过3000万美元，与外高桥保税区新发展有限公司签署厂房租赁合同，此举表明Numonyx公司正式投资落户外高桥保税区。即将关闭的英特尔技术开发（上海）有限公司闪存技术开发团队约200人将全部加盟Numonyx上海公司，继续在外高桥保税区发展。据了解，Numonyx公司希望与当地大学及科研机构开展紧密合作，为提高本地科研水平作出贡献。明...[详细]
无线半导体市场接连受挫回2003-2004年

始于2008年下半年的全球经济衰退尚未结束，但已开始显露接近尾声的迹象。实际上，经济衰退的祸根在2008年下半年以前很早就埋下了。但当我们确实触底的时候——iSuppli公司预测将在今年中期触底，全球经济将已抖落20世纪20年代全球大萧条以来积聚的灰尘。iSuppli公司预计，当今年下半年尘埃落地时，用于无线市场的半导体市场将收缩到2003和2004年之间的产业水平。虽...[详细]
英特尔财报亮丽预期半导体业下半年转佳

英特尔公布第二季财报，开启了科技股财报季的序幕。有分析师说，英特尔的财报显示，半导体业于下半年将进一步转佳。但该科技大厂的财报，并未完全平息市场的争论——近来芯片销售上升，到底是因市场反转？还是只是业界回补库存的暂时性支撑？据国外媒体报道，本周，其它大型芯片制造厂将公布财报，包括AMD与德仪(TexasInstruments)，届时，投资人将更能了解年底前，半导体业的...[详细]
宏力发布低成本高效率0.18微米OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其最新开发的0.18微米OTP(一次编程)制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去了0.18微米标准逻辑制程中的1.8V器件，因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上，...[详细]
分析师担心台湾存储业能否筹足资金实现复苏

据金融时报报道，尽管有迹象表明，台湾的DRAM存储芯片产业可能摆脱为期三年的低迷，但分析师和高管仍然认为，台湾可能无法充分利用改善中的市场前景。分析师普遍担心台湾DRAM存储芯片公司是否能筹足现金，为工厂引进50纳米技术。DRAM芯片是每台计算机不可缺少的部分，但该产业的过度扩张导致产品价格大幅下跌，过去三年累计亏损150亿美元。而经济危机更加深了该行业的困境，唯一的欧...[详细]
三星预估DRAM增长10-15% 分析师称过于保守

韩国电子公司三星宣布，预估今年DRAM出货量将增长10-15%，而NAND闪存出货则估计上涨25-30%。三星高层曾在4月表示，预估广泛用于个人电脑的DRAM芯片，在今(2009)年出货量将有10%-15%的增长，由去年10月的预估值降下来。在互联网上公开的简报文件显示，三星也预期专用于消费性电子设备的NAND，今年出货将增长25-30%。三星近两年来经历了...[详细]
本地IC设计公司探索高附加值发展之路

在经济不景气的大环境下，本地IC设计公司应该如何谋求生存，甚而进一步获得发展？作为一家以研发生产电脑周边器件为主的本土厂商，北京希格玛和芯微电子近年来迅速崛起，并且将战略性眼光投向新兴触摸技术领域。日前该公司总经理金雷先生接受了记者的采访，分享其快速发展壮大的成功经验，并希望能够对其他企业有所借鉴。重视高附加值与规模效应北京希格玛和芯微电子技术有限公司从渠道开始做起，2000年后开始做I...[详细]
台湾地区半导体产业发展模式面临挑战

台湾地区工研院IEK产业分析师李冠桦稍早前在一场研讨会上表示，2008～2013年之间，包含汽车、绿色节能/环保、生物医疗电子等应用，将成为驱动台湾地区半导体业成长的核心。比如“宅经济”带动对电玩游戏的需求；绿色环保所推动的新兴能源、油电混合车开发热潮等。此外，因高龄/少子化趋势应运而生的生物医学电子产品，在2008~2013年也预估将有8%的年复合成长率。而在信息与消费领域，李...[详细]
对比与分析太阳能发电的六大独特优势

据国际新能源网报道，通过对生物质能、水能、风能和太阳能等几种常见新能源的对比分析，我们可以清晰地得出太阳能发电所具备的独特优势：　　1、光伏发电可达10～20倍：从新建电站所消耗能量与电站运行周期内的发电量之比，即能量的投入产出比看，目前光伏发电可达到10～15倍，在光照良好的地区高的可达到15-20倍。其中生物质能、水能和风能本质上都是太阳能的某种转换形式和转化环节，其本质上还是...[详细]
金融风暴下中国IC设计业如何转危为安

2007年底，中国半导体协会设计分会理事长王芹生曾经预测指出：“2008年是中国IC设计产业的分水岭，在投资高峰（2004年左右）的四年之后，很多公司是死是活，2008年就会见分晓。”果然，2008年底至2009年初，受全球半导体市场价格疲软的影响，以及国际金融危机的冲击，中国IC设计产业遭受到了前所未有的危机。根据中国半导体行业协会的数据，2008年中国IC设计业虽然仍实现了4...[详细]
Spansion转向嵌入式，部署新战略寻求突破

存储半导体领域的情况实在是令人“一个头两个大”。几年前风光无限的业界大拿如今大多都身陷危机。Spansion无疑是最近最受新闻界关注的对象之一。在日本Spansion申请破产保护后，这家AMD和富士通合资公司的美国总部也走上了同样的道路。然而业界人士却表示，看不到申请保护后成为一家独立企业的Spansion前景何在，在这种形势下，Spansion管理层又抛出了专注于嵌入式领域、为无线业务寻...[详细]
破产保护未见定论，Spansion已现重生曙光？

存储半导体领域的情况实在是令人“一个头两个大”。几年前风光无限的业界大拿如今大多都身陷危机。Spansion无疑是最近最受新闻界关注的对象之一。在日本Spansion申请破产保护后，这家AMD和富士通合资公司的美国总部也走上了同样的道路。然而业界人士却表示，看不到申请保护后成为一家独立企业的Spansion前景何在，在这种形势下，Spansion管理层又抛出了专注于嵌入式领域、为无线业务寻...[详细]

小广播

热搜元器件