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S22

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小225KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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S22概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon,

S22规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompli
其他特性FREE WHEELING DIODE,LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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S22 THRU S220 
 
RoHS
COMPLIANT
Surface Mount Schottky Rectifier
Features
Low profile package
Ideal for automated placement
Guardring for overvoltage protection
Low power losses, high efficiency
High forward surge capability
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
Mechanical Date
Package:
SOD-123FL
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
 
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, Resistance load,
Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
V
SYMBOL
UNIT
S22
S22
20
S23
S23
30
S24
S24
40
S25
S25
50
S26
S26
60
S28
S28
80
S210
S210
100
S215
S215
150
S220
S220
200
IO
A
2.0
IFSM
Tstg
Tj
A
-55 ~+125
40
-55 ~+150
-55 ~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode @ VRM=VRRM
SYMBOL UNIT
TEST
CONDITIONS
IFM=2.0A
S22
S23
S24
S25
S26
S28
S210
S215
S220
VF
V
0.5
0.50
10
0.7
0.85
0.10
5
0.9
Ta=25℃
IRRM
mA
Ta=100℃
1/4
S-S085
Rev. 2.3, 31-Jan-19
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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