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GS3A

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小412KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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GS3A概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

GS3A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

GS3A文档预览

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GS3A THRU GS3M
Surface Mount General Purpose Rectifier
Features
● High efficiency
● High current capability
● High reliability
● High surge current capability
● Low power loss
● Solder dip 260 ° max. 10 s, per JESD 22-B106
C
RoHS
COMPLIANT
Mechanical Data
Package:
DO-214AB (SMC)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating,
RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable per J-STD-
002 and JESD22-B102
Polarity:
Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)
Forward Surge Current (Non-repetitive)
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage Temperature
Junction Temperature
V
RRM
I
O
V
A
SYMBOL
UNIT
GS3A
GS3A
50
GS3B
GS3B
100
GS3D
GS3D
200
GS3G
GS3G
400
3.0
GS3J
GS3J
600
GS3K
GS3K
800
GS3M
GS3M
1000
I
FSM
Tstg
Tj
A
100
-55 ~+150
-55 ~+150
Electrical Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode
SYMBOL
V
F
UNIT
V
TEST CONDITIONS
I
FM
=3.0A
Ta=25℃
I
R
μA
Ta=100℃
Measured at 1MHZ
and Applied Reverse
Voltage of 4.0 V.D.C.
50
GS3A
GS3B
GS3D
GS3G
1.1
5
GS3J
GS3K
GS3M
Typical junction capacitance
Cj
pF
25
Thermal Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction to ambient
Junction to lead
SYMBOL
R
θJ -A
℃/W
R
θJ -L
13
1)
UNIT
GS3A
GS3B
GS3D
GS3G
48
1)
GS3J
GS3K
GS3M
Thermal
Resistance
1/4
S-S056
Rev. 2.3, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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