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2SD965BR(TO-92)

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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2SD965BR(TO-92)概述

Transistor

2SD965BR(TO-92)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)340
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

2SD965BR(TO-92)相似产品对比

2SD965BR(TO-92) 2SD965BLR(TO-92) 2SD965BQ(TO-92) 2SD965BS(TO-92)
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Code compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 340 340 230 560
元件数量 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W 0.75 W 0.75 W
表面贴装 NO NO NO NO
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
JESD-609代码 e0 - e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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