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S2J_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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S2J_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN

S2J_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流1 µA
表面贴装YES
端子面层TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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S2A~S2M
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Easy pick and place
• Glass passivated iunction
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.083(2.11)
0.075(1.91)
0.185(4.70)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.200(5.08)
50 to 1000 Volts
CURRENT
2 Amperes
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.003 ounce, 0.092 gram
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase , half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load , derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi m um Re c ur re nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um RMS Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve r a g e F o rwa rd C urr e nt a t T
L
= 11 0
O
C
P e a k F o rwa r d S ur g e C urr e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d ( J E D E C me tho d )
Ma xi m um F o r wa rd Vo lta g e a t 2 A
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur re nt a t Ra te d D C B lo c k i ng
Vo lta g e
Ma xi m um J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te 1 )
Typ i c a l J unc ti o n Re s i s ta nc e ( No te 2 )
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
JL
T
J
,T
S TG
S2A
50
35
50
0.096(2.44)
0.083(2.13)
S2B
100
70
100
S2D
200
140
200
S2G
400
280
400
2
60
1 .1
1
125
30
16
S2J
600
420
600
S2K
800
560
800
S2M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
A
pF
O
C / W
O
-5 5 to + 1 5 0
C
NOTES:
1.Measured at 1.0 MHZ and applied Vr=4.0 volts.
2.8 x 8mm
2
pads.
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