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1N6006B

产品描述Zener Diode, 18V V(Z), 5%, 0.5W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小610KB,共6页
制造商优先(苏州)半导体
官网地址http://www.excel-semi.com/
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1N6006B概述

Zener Diode, 18V V(Z), 5%, 0.5W

1N6006B规格参数

参数名称属性值
厂商名称优先(苏州)半导体
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗42 Ω
元件数量1
最高工作温度200 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压18 V
表面贴装NO
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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1N5985B~1N6016B
Zener diode
Features
1. High reliability
2. Very sharp reverse characteristic
3. Zener voltage 2.4V to 47V
4. V
Z
-tolerance±5%
Applications
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
T
j
=25℃
Parameter
Power dissipation
Z-current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
T
amb
≤75℃
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
-65~+200
Unit
mW
mA
Maximum Thermal Resistance
T
j
=25℃
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
I=9.5mm(3/8”) T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Stresses exceeding maximum ratings may damage the device. Maximum ratings are stress ratings only. Functional operation above the
recommended operating conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may
affect device reliability.
Electrical Characteristics
T
j
=25℃
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Excel Semiconductor
www.excel-semi.com
FaxBack +86-512-66607370
Rev. 3e, 1-Nov-2006
1/6
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