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SG2803J/DESC

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小642KB,共14页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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SG2803J/DESC概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon

SG2803J/DESC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明IN-LINE, R-CDIP-T18
Reach Compliance Codecompli
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-CDIP-T18
JESD-609代码e0
元件数量8
端子数量18
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

SG2803J/DESC相似产品对比

SG2803J/DESC SG2803J SG2803J/883B SG2803L SG2803L/883B SG2803L/DESC
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 8-Element, NPN, Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
包装说明 IN-LINE, R-CDIP-T18 IN-LINE, R-CDIP-T18 IN-LINE, R-CDIP-T18 CHIP CARRIER, S-CQCC-N20 CHIP CARRIER, S-CQCC-N20 CHIP CARRIER, S-CQCC-N20
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR 8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000 1000 1000 1000
JESD-30 代码 R-CDIP-T18 R-CDIP-T18 R-CDIP-T18 S-CQCC-N20 S-CQCC-N20 S-CQCC-N20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 8 8 8 8 8 8
端子数量 18 18 18 20 20 20
最高工作温度 150 °C 150 °C 125 °C 125 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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