IS66WV1M16EBLL-55BLI,IS66WV1M16EBLL-55BLI pdf中文资料,IS66WV1M16EBLL-55BLI引脚图,IS66WV1M16EBLL-55BLI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS66WV1M16EBLL-55BLI: 产品描述Pseudo Static RAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小469KB，共15页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS66WV1M16EBLL-55BLI概述

Pseudo Static RAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48

IS66WV1M16EBLL-55BLI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TFBGA,
Reach Compliance Code	compli
Factory Lead Time	10 weeks
Samacsys Descripti	SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	8 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm

IS66WV1M16EBLL-55BLI相似产品对比

	IS66WV1M16EBLL-55BLI	IS66WV1M16EBLL-70BLI	IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
描述	Pseudo Static RAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	IC PSRAM 16MBIT 55NS 48BGA
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
Factory Lead Time	10 weeks	11 weeks 3 days	10 weeks
最长访问时间	55 ns	70 ns	60 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	48	48	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	6 mm	6 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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