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FQI8N60C

产品描述600V N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小643KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FQI8N60C概述

600V N-Channel MOSFET

FQI8N60C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)230 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)7.5 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FQI8N60C相似产品对比

FQI8N60C FQB8N60C
描述 600V N-Channel MOSFET 600V N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 230 mJ 230 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 7.5 A 7.5 A
最大漏源导通电阻 1.2 Ω 1.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 245
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A 30 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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