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1N4002G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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1N4002G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

1N4002G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-41
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL FLAMMABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
1N4001G thru 1N4007G
REVERSE VOLTAGE -
50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Amperes
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
DO-41
Dim.
A
B
Min.
25.4
4.10
Max.
-
5.20
0.71
0.86
C
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
SYMBOL
4001G
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
1N
4002G
100
70
100
1N
4003G
200
140
200
1N
4004G
400
280
400
1.0
30
1.1
5
50
10
45
2
-55 to +150
-55 to +150
1N
4005G
600
420
600
1N
4006G
800
560
800
1N
4007G
1000
700
1000
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
UNIT
V
V
V
A
@T
A
=
75 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
A
V
uA
pF
C/W
us
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
RR
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDDC01
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3.Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=0.5,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
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