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EDE5108ABSA-5A-E

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64
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文件大小405KB,共56页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
标准
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EDE5108ABSA-5A-E概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64

EDE5108ABSA-5A-E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA64,9X15,32
针数64
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)267 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B64
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量64
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA64,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

EDE5108ABSA-5A-E相似产品对比

EDE5108ABSA-5A-E EDE5116ABSA-4A-E EDE5116ABSA-5A-E EDE5104ABSA-5A-E EDE5104ABSA-4A-E EDE5108ABSA-4A-E
描述 DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, MICRO, FBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, MICRO, FBGA-84 DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64 DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64 DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA64,9X15,32 BGA, BGA84,9X15,32 BGA, BGA84,9X15,32 BGA, BGA64,9X15,32 BGA, BGA64,9X15,32 BGA, BGA64,9X15,32
针数 64 84 84 64 64 64
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns 0.6 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.6 ns 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 267 MHz 200 MHz 267 MHz 267 MHz 200 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B64 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 16 16 4 4 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 64 84 84 64 64 64
字数 67108864 words 33554432 words 33554432 words 134217728 words 134217728 words 67108864 words
字数代码 64000000 32000000 32000000 128000000 128000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX8 32MX16 32MX16 128MX4 128MX4 64MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA64,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA64,9X15,32 BGA64,9X15,32 BGA64,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 ELPIDA ELPIDA - ELPIDA ELPIDA ELPIDA
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