Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1.5SMC200A-AT/7

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1.5SMC200A-AT/7: 产品描述Transient Suppressor,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小708KB，共6页; 制造商台湾君耀(Brightking); 官网地址http://brightking.pulseelectronics.com/; 君耀电子进入电路保护领域以来，历经十数年的耕耘与发展，已成长为全方位的电路保护元器件供应商。我们持续投入大量的研发及生产工艺经费，致力于优质的电路保护解决方案，为全球客户提供高效的技术、产品、测试支持以满足他们快速开发新产品的需求。并且为了提供更为便利的技术及物流服务，君耀电子的销售系统已广泛覆盖北美、南美、欧洲和亚洲等地区。主要产品包括：MOV压敏电阻、TVS瞬态电压抑制二极管、GDT陶瓷气体放电管、SPG玻璃气体放电管、PTC自恢复保险丝、ESD静电保护元件和TSS半导体放电管。通过不同工艺器件的组合方案，君耀电子可以满足客户的个性化电路保护需求。从电路设计到产品测试（并提供测试报告），我们将为您提供电路保护领域的一站式服务。选择我们，君耀电子将会是您保护电路产品的忠实可靠合作伙伴！

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1.5SMC200A-AT/7概述

Transient Suppressor,

1.5SMC200A-AT/7规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	台湾君耀(Brightking)
Reach Compliance Code	unknown

1.5SMC200A-AT/7文档预览

1.5SMC-AT SERIES

Transient Voltage Suppressors (TVS) Data Sheet

Features

■

For surface mounted applications in order to optimize board space

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Low inductance

Excellent clamping capability

1500W peak pulse power capability at 10/1000μs waveform,

repetition rate (duty cycle): 0.01%

Fast response time

Typical I

less than 1μA above 12V

High Temperature soldering: 260℃/10 seconds at terminals

Plastic package has underwriters laboratory flammability 94V-0

Meets MSL level 1, per J-STD-020

Safety certification: UL: E244458

AEC-Q101 qualified

Mechanical Data

■

Case: JEDEC DO-214AB. Molded plastic over glass passivated junction

Terminal: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode except bi-directional models

Standard Packaging: 16mm tape (EIA STD RS-481)

Weight: 0.26g

Applications

■

I/O interface

■

AC/DC power supply

■

Low frequency signal transmission line (RS232, RS485, etc.)

Maximum Ratings and Characteristics

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak pulse power dissipation at 10/1000μs waveform

(Note1, Note2, Fig.1)

Peak pulse current of at 10/1000μs waveform (Note 1, Fig.3)

Steady state power dissipation at T

=50℃ (Fig.5)

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load, (JEDEC Method) (Note3, Fig.6)

Operating junction and Storage Temperature Range.

Typical thermal resistance junction to lead

Typical thermal resistance junction to ambient

Symbol

PPM

M(AV)

FSM

STG

θJL

θJA

Value

Minimum 1500

See Table

6.5

200

-55 to +150

Units

Watts

Amps

Watts

Amps

℃

℃/W

Notes: 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

=25℃ per Fig.2.

2. Mounted on 8.0mm×8.0mm copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minutes maximum.

Revision:TVS-1.5SMC-AT SERIES-001(A1)

1/6

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1.5SMC-AT SERIES

Dimensions (SMC/DO-214AB)

Millimeters

Inches

Min.

0.260

0.220

0.114

0.305

0.030

0.087

0.079

Max.

0.280

0.245

0.126

0.320

0.060

0.008

0.110

0.103

Cathode Band

Symbol

Min.

6.60

5.59

2.90

7.75

0.76

2.20

2.06

Max.

7.11

6.22

3.20

8.13

1.52

0.203

2.80

2.62

D1 D

H1 H

Electrical Characteristics (T

=25℃)

Part Number

Device

Marking

Code

UNI

6V8A

7V5A

8V2A

9V1A

10A

11A

12A

13A

15A

16A

18A

20A

22A

24A

27A

30A

33A

36A

39A

43A

6V8C

7V5C

8V2C

9V1C

10C

11C

12C

13C

15C

16C

18C

20C

22C

24C

27C

30C

33C

36C

39C

43C

Reverse

Stand-Off

Voltage

RWM

(V)

5.80

6.40

7.02

7.78

8.55

9.40

10.20

11.10

12.80

13.60

15.30

17.10

18.80

20.50

23.10

25.60

28.20

30.80

33.30

36.80

Breakdown

Voltage

(V)

6.45~7.14

7.13~7.88

7.79~8.61

8.65~9.55

9.50~10.50

10.50~11.60

11.40~12.60

12.40~13.70

14.30~15.80

15.20~16.80

17.10~18.90

19.00~21.00

20.90~23.10

22.80~25.20

25.70~28.40

28.50~31.50

31.40~34.70

34.20~37.80

37.10~41.00

40.90~45.20

Test

Current

(mA)

Maximum

Clamping

Voltage@I

(V)

10.5

11.3

12.1

13.4

14.5

15.6

16.7

18.2

21.2

22.5

25.2

27.7

30.6

33.2

37.5

41.4

45.7

49.9

53.9

59.3

Peak

Pulse

Current

(A)

144.8

134.5

125.6

113.4

104.8

97.4

91.0

83.5

71.7

67.6

60.3

54.9

49.7

45.8

40.5

36.7

33.3

30.5

28.2

25.6

Reverse

Leakage

RWM

(μA)

1000

500

200

Unidirectional

1.5SMC6.8A-AT

1.5SMC7.5A-AT

1.5SMC8.2A-AT

1.5SMC9.1A-AT

1.5SMC10A-AT

1.5SMC11A-AT

1.5SMC12A-AT

1.5SMC13A-AT

1.5SMC15A-AT

1.5SMC16A-AT

1.5SMC18A-AT

1.5SMC20A-AT

1.5SMC22A-AT

1.5SMC24A-AT

1.5SMC27A-AT

1.5SMC30A-AT

1.5SMC33A-AT

1.5SMC36A-AT

1.5SMC39A-AT

1.5SMC43A-AT

Bidirectional

1.5SMC6.8CA-AT

1.5SMC7.5CA-AT

1.5SMC8.2CA-AT

1.5SMC9.1CA-AT

1.5SMC10CA-AT

1.5SMC11CA-AT

1.5SMC12CA-AT

1.5SMC13CA-AT

1.5SMC15CA-AT

1.5SMC16CA-AT

1.5SMC18CA-AT

1.5SMC20CA-AT

1.5SMC22CA-AT

1.5SMC24CA-AT

1.5SMC27CA-AT

1.5SMC30CA-AT

1.5SMC33CA-AT

1.5SMC36CA-AT

1.5SMC39CA-AT

1.5SMC43CA-AT

Revision:TVS-1.5SMC-AT SERIES-001(A1)

2/6

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1.5SMC-AT SERIES

Device

Marking

Code

UNI

47A

51A

56A

62A

68A

75A

82A

91A

100A

110A

120A

130A

150A

160A

170A

180A

200A

220A

250A

300A

350A

400A

440A

480A

510A

530A

540A

550A

47C

51C

56C

62C

68C

75C

82C

91C

100C

110C

120C

130C

150C

160C

170C

180C

200C

220C

250C

300C

350C

400C

440C

480C

510C

530C

540C

550C

Reverse

Stand-Off

Voltage

RWM

(V)

40.20

43.60

47.80

53.00

58.10

64.10

70.10

77.80

85.50

94.00

102.00

111.00

128.00

136.00

145.00

154.00

171.00

185.00

214.00

256.00

300.00

342.00

376.00

408.00

434.00

450.00

459.00

467.00

Breakdown

Voltage

(V)

44.70~49.40

48.50~53.60

53.20~58.80

58.90~65.10

64.60~71.40

71.30~78.80

77.90~86.10

86.50~95.50

95.00~105.00

105.00~116.00

114.00~126.00

124.00~137.00

143.00~158.00

152.00~168.00

162.00~179.00

171.00~189.00

190.00~210.00

209.00~231.00

237.00~263.00

285.00~315.00

332.00~368.00

380.00~420.00

418.00~462.00

456.00~504.00

485.00~535.00

503.50~556.50

513.00~567.00

522.50~577.50

Maximum

Clamping

Voltage@I

(V)

64.8

70.1

77.0

85.0

92.0

103.0

113.0

125.0

137.0

152.0

165.0

179.0

207.0

219.0

234.0

246.0

274.0

328.0

344.0

414.0

482.0

548.0

602.0

658.0

698.0

725.0

740.0

760.0

Peak

Pulse

Current

(A)

23.5

21.7

19.7

17.9

16.5

14.8

13.5

12.2

11.1

10.0

9.2

8.5

7.3

6.9

6.5

6.2

5.5

4.6

4.4

3.7

3.2

2.8

2.5

2.3

2.1

2.0

Reverse

Leakage

RWM

(μA)

Part Number

Test

Current

(mA)

Unidirectional

1.5SMC47A-AT

1.5SMC51A-AT

1.5SMC56A-AT

1.5SMC62A-AT

1.5SMC68A-AT

1.5SMC75A-AT

1.5SMC82A-AT

1.5SMC91A-AT

1.5SMC100A-AT

1.5SMC110A-AT

1.5SMC120A-AT

1.5SMC130A-AT

1.5SMC150A-AT

1.5SMC160A-AT

1.5SMC170A-AT

1.5SMC180A-AT

1.5SMC200A-AT

1.5SMC220A-AT

1.5SMC250A-AT

1.5SMC300A-AT

1.5SMC350A-AT

1.5SMC400A-AT

1.5SMC440A-AT

1.5SMC480A-AT

1.5SMC510A-AT

1.5SMC530A-AT

1.5SMC540A-AT

1.5SMC550A-AT

Bidirectional

1.5SMC47CA-AT

1.5SMC51CA-AT

1.5SMC56CA-AT

1.5SMC62CA-AT

1.5SMC68CA-AT

1.5SMC75CA-AT

1.5SMC82CA-AT

1.5SMC91CA-AT

1.5SMC100CA-AT

1.5SMC110CA-AT

1.5SMC120CA-AT

1.5SMC130CA-AT

1.5SMC150CA-AT

1.5SMC160CA-AT

1.5SMC170CA-AT

1.5SMC180CA-AT

1.5SMC200CA-AT

1.5SMC220CA-AT

1.5SMC250CA-AT

1.5SMC300CA-AT

1.5SMC350CA-AT

1.5SMC400CA-AT

1.5SMC440CA-AT

1.5SMC480CA-AT

1.5SMC510CA-AT

1.5SMC530CA-AT

1.5SMC540CA-AT

1.5SMC550CA-AT

Notes: For bidirectional type having V

RWM

of 10V and less, the I

limit is double.

Revision:TVS-1.5SMC-AT SERIES-001(A1)

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1.5SMC-AT SERIES

Ratings and Characteristic Curves (T

=25℃ unless otherwise noted)

Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve

100

Figure 2. Pulse Derating Curve

Peak Pulse Power (P

) or Current (I

)

Derating in Percentage %

100

PPM

- Peak Pulse Power (kW)

0.2×0.2″(5.0×5.0mm)

Copper Pad Area

0.1

100

1000

-Pulse Width (µs)

100

125

150

175

-Ambient Temperature (℃)

Figure 3. Pulse Waveform

150

Figure 4. Typical Junction Capacitance

100000

Bi-directional V=0V

PPM

- Peak Pulse Current, %I

RSM

=10µs

=25℃

Pulse Width(t

) is defined as

the point where the peak

current decays to 50% of I

PPM

10000

Uni-directional V=0V

100

Peak Value I

PPM

Cj (pF)

1000

Uni-directional @V

Half Value I

PPM

/2)

10/1000µs Waveform

as defined by R.E.A

100

=25℃

f=1.0MHz

Vsig=50mVp-p

Bi-directional @V

1.0

2.0

t-Time (ms)

3.0

4.0

100

1000

-Reverse Breakdown Voltage (V)

Figure 5. Steady State Power Dissipation Derating

Curve

M(AV)

, Steady State Power Dissipation (W)

Figure 6. Maximum Non-Repetitive Forward

Surge Current Uni-Directional Only

200

FSM

- Peak Forward Surve Current (A)

100

125

150

175

-Ambient Temperature (℃)

180

160

140

120

100

Number of Cycles at 60Hz

100

Revision:TVS-1.5SMC-AT SERIES-001(A1)

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1.5SMC-AT SERIES

Recommended Soldering Conditions

Reflow Soldering

Ramp-up

S max

Temperature

Critical Zone

to T

S min

Preheat

Ramp-down

t 25℃ to Peak

Time

Recommended Conditions

Profile Feature

Average ramp-up rate (T

to T

)

Preheat

-Temperature Min (T

S min

)

-Temperature Max (T

S max

)

-Time (min to max) (t

)

S max

to T

-Ramp-up Rate

Time maintained above:

-Temperature (T

)

-Time (t

)

Peak Temperature (T

)

Time within 5℃ of actual Peak Temperature (t

)

Ramp-down Rate

Time 25℃ to Peak Temperature

Pb-Free Assembly

3℃/second max.

150℃

200℃

60-180 seconds

3℃/second max.

217℃

60-150 seconds

260℃

20-40 seconds

6℃/second max.

8 minutes max.

Marking Code

Cathode Band

YXXX

6V8A

Logo

Date Code

Logo

YXXX

6V8C

Date Code

Marking Code

Revision:TVS-1.5SMC-AT SERIES-001(A1)

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根据SEMICapitalEquipmentForecast年中版的数据，2009年半导体设备销售额预计为141.1亿美元。SEMI在近日举行的SEMICONWest展会上发布了这一预测。预测显示，在2008年市场下滑31%之后，2009年将进一步下滑52%，但2010年预计将获得47%的反弹。“今年半导体制造设备的支持将回落到约15年前的低水平。”SEMI总裁...[详细]
经济最坏时期已过芯片复苏尚需2-3年

日本最大芯片厂商之一NEC电子总裁JunshiYamaguchi在接受媒体采访时表示，经济低迷最坏时期已经结束，但业界要完全恢复到“正常”水平还需要2-3年时间。他表示，“因经济低迷对业界的重创太大，恢复到正常水平将需要2-3年。只有客户业绩恢复了，我们才有望恢复。据不同用户的预测，大家需要2-3年才能恢复至正常水平。”据国外媒体报道称，NEC电子是日本第三大芯片厂商，其客户包...[详细]
Key ASIC扩充其专用集成电路产品

KeyASIC公司是一家领先的委外代工型企业，提供专用集成电路（ASIC）和系统芯片（SoC）从设计到制造方面的服务。公司今天宣布，能为客户提供IBM的半导体技术。作为KeyASIC/IBM合作关系的一部分，KeyASIC公司将向客户出售IBM生产的晶圆，这种晶圆之中包含KeyASIC公司提供的设计内容和服务。此外，KeyASIC公司还宣布，已从IBM公司取得Power...[详细]
德仪净利2.6亿美元降56%仰赖亚洲需求回升

芯片大厂TexasInstrumentsInc.(德州仪器)公布第二季(6月止)净利为2.6亿美元或每股盈余20美分，较去年同期的净利5.88亿美元或每股盈余44美分下降近56%，系因销售和利润下滑。营收自去年同期的33.5亿美元下滑27%至24.6亿美元，但较第一季上涨，系因模拟芯片销售较强，且其计算器出现季节性销售增长。第二季新订单较去年同期减少19%，但较第一...[详细]
最新低成本高效率0.18微米OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，发布其最新开发的0.18微米OTP(一次编程)制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去了0.18微米标准逻辑制程中的1.8V器件，因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上，所以不需要额外的制程步骤。相对于...[详细]
联电反攻决战65纳米：技术与价格双向抢滩

联电高层交由新生代接棒刚满一年，新联电追赶台积企图浮现，四年前在0.13微米制程跌倒，今日则以90纳米扳回一成的联电，由研发底子深厚的执行长孙世伟领军，在65纳米靠技术与价格双向抢滩，这场绝地反攻之役，外资与90多万股民都在看。铁人执行长改革急先锋“我们65纳米营收在第二季大幅成长120%，第三季预计占营收比重15%，年底目标20%。”7月底酷热难受的盛夏，接下联电执...[详细]
Robert MacKnight 将领导整合过程

CrossingAutomation宣布该公司已经进入了最终协议，将收购AsystTechnologies的大气技术和IP资产，包括分类器产品线，EFEM（设备前端模块）和RFID产品。CrossingAutomation现有的投资伙伴TallwoodVentureCapital和英特尔投资继续支持该公司的扩张。协议的具体条款还没有被披露。CrossingAut...[详细]
DRAM厂40纳米开战　50纳米恐昙花一现

台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战！三星电子(SamsungElectronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代，差点出现世代交替断层危机，公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代，直接跳到40纳米，50纳米恐成短命制程，未来真正...[详细]

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