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10A1GD1

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小469KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
下载文档 详细参数 全文预览

10A1GD1概述

Rectifier Diode,

10A1GD1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY; LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流2.5 µA
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

10A1GD1文档预览

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10A05G THRU 10A10G
General Purpose Rectifier
Features
● High efficiency
● High current capability
● High reliability
● High surge current capability
● Low power loss
● Glass passivated chip junction
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106
RoHS
COMPLIANT
Mechanical Data
Package: Package:
R-6
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating,
RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable per J-STD-
002 and JESD22-B102
Polarity:
Color band denotes cathode end
■Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Device marking code
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Forward Current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta =50℃
Forward Surge Current (Non-repetitive)
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage Temperature
Junction Temperature
V
RRM
I
F(AV)
V
A
SYMBOL
UNIT
10A05G
10A05G
50
10A1G
10A1G
100
10A2G
10A2G
200
10A4G
10A4G
400
10.0
10A6G
10A6G
600
10A8G
10A8G
800
10A10G
10A10G
1000
I
FSM
Tstg
Tj
A
300
-55 ~+150
-55~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode
SYMBOL
V
FM
I
RRM1
μA
I
RRM2
Ta=100℃
Measured at 1MHZ
and Applied Reverse
Voltage of 4.0 V.D.C.
50
UNIT
V
TEST CONDITIONS
I
FM
=10.0A
Ta=25℃
10A05G
10A1G
10A2G
10A4G
1.1
2.5
10A6G
10A8G
10A10G
Typical junction capacitance
Cj
pF
60
Thermal Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal Resistance(Typical)
SYMBOL
R
θJ-A
UNIT
℃/W
10A05G
10A1G
10A2G
10A4G
10
10A6G
10A8G
10A10G
1/4
S-A037
Rev.1.3,28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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