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2SB028040MLJY-155

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共2页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
标准
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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2SB028040MLJY-155概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM),

2SB028040MLJY-155规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称士兰微(Silan)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.37 V
最大非重复峰值正向电流0.2 A
元件数量1
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY

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2SB028040ML
2SB028040ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø
2SB028040ML is a schottky barrier diode chips
fabricated in silicon epitaxial planar technology;
Ø
Ø
Low power losses, high efficiency;
Guard ring construction for transient protection.
Chip Topography
ORDERING SPECIFICATIONS
Product Name
2SB028040MLJY-155
2SB028040MLJL-155
Specification
Top metal is Ag, for gold wire ball bonding process;
Back metal is Au, for eutectic attach process.
Top metal is Al, for gold wire ball bonding process;
Back metal is Au, for eutectic attach process.
CHIP INFORMATION
Item
Wafer Size
Gross Die
Die Size(La)
Top Pad Size(Lb)
Wafer Thickness(Lc)
Top Metal / Thickness
Back Metal / Thickness
Paasivation
Scribe Line Width
Characterization
5Inch
138,000dice/wafer
280µm
210µm
155±20µm
Ag:3µm or Al:3.5µm
Au:1µm
SiO2
50µm
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:2.0
2010.03.17
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