电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1.5KE170CA_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 145V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

1.5KE170CA_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 145V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2

1.5KE170CA_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-201AE
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压179 V
最小击穿电压162 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-201AE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压145 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

1.5KE170CA_R2_00001文档预览

下载PDF文档
1.5KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 1500 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
6.8 to 440 Volts
Recongnized File # E210467
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated chip junction in DO-201AE package
• 1500W surge capability at 1.0ms
• Excellent clamping capability
0.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
0.042(1.07)
0.037(0.94)
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds/.375" ,(9.5mm)
lead length/5lbs., (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-201AE molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.045 ounce, 1.2 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types 1.5KE6.8 thru types 1.5KE440.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Power Dissipation at T
A
=25
O
C, T
P
=1ms (Notes 1)
Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375", (9.5mm) (Notes 2)
Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave
Superimposed on Rated Load (JECED Method) (Notes 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
R
θJA
I
PPM
I
FSM
T
J
,T
STG
1.0(25.4)MIN.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.285(7.2)
• Low zener impedance
0.210(5.3)
0.188(4.8)
Value
1500
30
see Table
200
-65 to +175
Units
Watts
O
C/W
Amps
Amps
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2.
2. Mounted on Copper Leaf area of 0.79 in
2
(20mm
2
).
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
November 15,2012-REV.04
PAGE . 1
电路防雷知识(转帖)
护区的概念   一个欲保护的区域,从EMC(电磁兼容)的观点来看,由外到内可分为几级保护区,最外层是0级,是直接雷击区域,危险性最高,越往里,则危险程度越低,过压主要是沿线串入的,保护 ......
2345 无线连接
Microchip推出先进安全功能的16位芯片
无需额外成本,CodeGuard安全功能即可实现对Microchip的dsPICDSC和PIC24H单片机片上存储器的分区和特权访问 全球领先的单片机和模拟半导体供应商——MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司 ......
fighting 汽车电子
发现vcc与gnd之间阻值几百欧,双向导通的,对74hc133D,有啥影响
在实验中,用到ams1117 3.3 稳压器, 发现vcc与gnd之间阻值几百欧,双向导通的,这对74hc133D,有啥影响,74hc133d,gnd->vcc有几百欧,vcc->gnd不通,不知道我说的清楚嘛,刚接触硬件,都不懂 ......
danny13 模拟电子
技术分析:汤唯遭电信诈骗21万元的细节
技术分析:汤唯遭电信诈骗21万元的细节 http://news.mydrivers.com/1/289/289921.htm ...
wangfuchong 聊聊、笑笑、闹闹
GPRS在IPCP协商之后的这一帧是什么帧?
GPRS端:7E 80 21 01 07 00 16 03 06 00 00 00 00 81 06 00 00 00 00 83 06 00 00 00 00 66 F8 7E C I L D GGSN端:7E 80 21 03 07 00 16 03 06 81 06 83 06 74 F0 ......
renguoquan 嵌入式系统
∑ -μ04 HELP2416 中Uboot编译
本次主要制作2种Uboot文件,一种是可以从NandFlash启动的版本,一种是从SD卡启动的版本。(2种版本在HELP2416中均有讲解) 一、Uboot 之NandFlash 启动版本。(编译环境搭建好是前提) ......
DavidZH 嵌入式系统
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved