Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD669AD

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2SD669AD: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小73KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SD669AD概述

Transistor

2SD669AD规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126C Plastic-Encapsulate Transistors

2SD669

2SD669A

FEATURES

Power dissipation

MAXIMUM RATINGS* T

=25℃ unless otherwise noted

Symbol

CBO

CEO

Parameter

Collector- Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

2SD669

2SD669A

EBO

stg

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

180

120

160

1.5

150

-55-150

Units

℃

TRANSISTOR (NPN)

TO-126C

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

123

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

FE(1)

DC current gain

FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

CE(sat)

unless

Test

otherwise

conditions

specified)

MIN

TYP

MAX

UNIT

mA, I

2DS669

2SD669A

mA, I

160

V, I

150mA

2SD669

2SD669A

V, I

500

mA, I

V, I

150

V, I

150

V, I

=0, f=

MHz

180

120

160

1.5

140

320

200

µA

MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

2SD669

2SD669A

FE(1)

60-120

100-200

160-320

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应用材料连续2季亏损营收创7年新低

半导体设备大厂应用材料(AppliedMaterials)公布2009会计年度第2季(2009年2~4月)财报，受累于订单缩水，应材连续2季呈现亏损，而单季营收亦跌至7年来最低记录。然而由于手机与计算机的芯片需求持续滑落，应材预期本季(2009会计年度第3季)将再现赤字。由于应材客户相继缩减扩产计划，导致半导体、TFTLCD面板与太阳能生产设备订单遽减。财报显示，第2季净损为...[详细]
需求减少 Spansion 09年Q1销售额同比下滑30%

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英特尔展示8核Nehalem-EX芯片二季度投产

英特尔日前展示了代号为“Nehalem-EX”的新的至强处理器。这种高级的处理器在一个芯片上配置了8个内核，能够支持16个线程并且配置了一个24MB的缓存。据英特尔称，这种处理器将加快英特尔平台的应用，超过基于RISC的系统。英特尔在声明中解释说，Nehalem-EX处理器提供了较低的拥有总成本、更高的性能、较低的电费账单并且能够在复杂的IT环境中实现标准化。Nehal...[详细]
SIA:半导体市场回暖 PC手机需求高于预期

6月2日消息，据国外媒体报道，半导体产业协会(SIA)最新数据显示，今年4月全球半导体销售额达到了156亿美元，环比增长6.4%。尽管如此，与去年4月的209亿美元销售额相比，今年4月的半导体销售额仍下滑25%。SIA数据还显示：PC市场需求要好于预期；2009年PC销售额将下滑6%，好于此前预期的12%；手机销售额好于预期；手机和PC占到...[详细]
马英九：不排除开放12寸晶圆厂至大陆投资

台湾当局领导人马英九表示，将来台湾放宽半导体供应商到大陆投资，不排除开放12寸晶圆，这个构想正由“经济部”评估当中。“经济部工业局”另指出，将在7月底提出制造业开放登陆的检讨报告。“总统府”新闻稿引述马英九指出，英特尔(Intel)已经前进大陆投资，台湾不能只把大陆看成工厂，而是市场，希望台湾的产品能在大陆市场占有一席之地，这也是这次金融海啸所带来重要的教训。“大陆内需...[详细]
知识产权将决定中国半导体产业的未来

通过2000年4月成立的中芯国际（SMIC）以及规模紧随其后的华虹NEC（HHNEC）的动向，便可以掌握整个中国半导体产业的大致情况。中国半导体企业与海外半导体企业的关系正在发生变化，正在从单纯的半导体受托制造向更深一层的共同开发迈进。比如，中芯国际于2007年底与IBM签订了45nm工艺授权合同，将于2009年底开始量产。中国半导体产业大致有两个特点。一是业务形势严峻...[详细]
iSuppli：第二季度代工市场将明显回暖

市场研究公司iSuppli数据显示，尽管2009年第一季度代工市场惨淡，但新加坡特许半导体等公司市场份额有所增长。联电和中芯国际等公司市场份额有所减少。总体来看，2009年代工市场表现预计将弱于半导体整体市场，市场收入将下滑26.5%。但近期市场有抬头之势。iSuppli预计第二季度代工产业在连续3个季度缩水之后将迎来强劲增长。但FBR报告称代工市场将在第三季度趋于冷清。...[详细]
摩根士丹利：太阳能未来3年重启成长动能

摩根士丹利亚洲科技产业研究部主管暨董事总经理古塔(SunilGupta)近日表示，2009年对太阳能产业来说是最坏的1年，受惠全球经济复苏，各国重新聚焦洁净能源，以及油价持续走扬，太阳能产业未来3年将重启成长动能；从基本面来看，需求受到价格急跌已被拉动，但目前潜在供给同步成长，到2013年以前持续供过于求。古塔在台湾国际光电论坛中进行演讲。古塔认为太阳能产业仍然年轻...[详细]
尔必达：将对瑞晶电子的持股比例增至70%以上

据外媒报道，全球第三大存储芯片企业日本尔必达(ElpidaMemoryInc.)周三称，公司可能会在今年底将其所持瑞晶电子股份有限公司(RexchipElectronicsCorp.)股权的比例由64%提高至70%以上。　　瑞晶电子股份有限公司是尔必达与力晶半导体股份有限公司(PowerchipSemiconductorCorp.)的合资企业。　　尔必达的一位发言人...[详细]
国产设备走俏光伏市场半导体领域积蓄力量

2007年-2012年中国半导体设备市场规模及预测半导体设备行业是技术含量较高的行业，目前我国90%以上的半导体设备依赖进口，尤其在高端IC设备领域，几乎没有国内设备的声音。因此，从其他半导体设备领域取得突破后，再“反哺”IC设备可以说是中国半导体设备行业最切实可行的路。　　光伏设备一枝独秀　　近两年光伏设备的异军突起使之成为国...[详细]

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