3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
| 零件包装代码 | DO-214AB |
| 包装说明 | R-PDSO-C2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大击穿电压 | 126.5 V |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-214AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压 | 90 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
