Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR650F

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MBR650F: 产品描述肖特基二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小77KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR650F概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称：肖特基二极管

产品型号：MBR650F

参数：

重复反向电压峰值Vrrm：50V

最大平均整流电流Io：6A

最大前向浪涌电流I FSM：75A

正向压降VF：0.75V 当IF=6A时

最大反馈电流IR：50uA 当VR=50V

封装：ITO-220AC

MBR650F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	TO-220AC
包装说明	R-PSFM-T2
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	TO-220AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流	75 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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MBR640F~MBR6200F

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O utilizing

Flame Retardant Epoxy Molding Compound.

• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228

• Low power loss, high efficiency.

• Low forwrd voltge, high current capability

• High surge capacity.

• For use in low voltage,high frequency inverters

free wheeling , and polarlity protection applications.

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

40 to 200 Volts

CURRENT

6.0 Ampers

MECHANICALDATA

• Case: ITO-220AC full molded plastic package

• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: As marked.

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.

PA RA M E TE R

M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e

M a xi m um R M S V o l t a g e

M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e

M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt ( S e e F i g ur e 1 )

P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve

s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )

M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 6 . 0 A p e r l e g

M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T

= 2 5

a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T

= 1 0 0

Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e

O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e

S YM B O L

RRM

RMS

F ( A V )

F S M

J C

, T

S TG

MB R6 4 0 F

MB R6 4 5 F

MB R6 5 0 F

MB R6 6 0 F

MB R6 8 0 F

MB R6 9 0 F MB R6 1 0 0 F MB R6 1 5 0 F MB R6 2 0 0 F

U N IT S

31.5

6 .0

100

150

105

150

200

140

200

0 .7 0

0 .7 5

0 .0 5

0 .8 0

0 .9 0

C / W

-5 5 to +1 5 0

-6 5 to +1 7 5

NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.

STAD-APR.30.2009

PAGE . 1

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