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MBR2590CT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小52KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR2590CT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR2590CT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:90V


最大平均整流电流Io:25A


最大前向浪涌电流I FSM:200A


正向压降VF:0.8V 当IF=12.5A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=90V


封装:TO-220AB


MBR2590CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压90 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR2590CT文档预览

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MBR2540CT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.177(4.5)
MAX.
0.058(1.47)
0.042(1.07)
0.038(0.96)
0.019(0.50)
0.50(12.7)MIN.
0.115(2.92)
0.080(2.03)
0.025(0.65)MAX.
0.624(15.87)
0.548(13.93)
0.419(10.66)
0.387(9.85)
0.139(3.55)
MIN.
0.196(5.00)
0.163(4.16)
0.054(1.39)
0.045(1.15)
40 to 200 Volts
CURRENT
25 Amperes
MECHANCEAL DATA
• Case: TO-220AB Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859grams.
0.100(2.54)
0.100(2.54)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA METER
Maxi mum Recurrent Pea k Revers e Voltage
Maxi mum RMS Voltag e
Maxi mum D C B loc ki ng Vo lta ge
Maxi mum A verage F orward C urre nt (Se e fi g.1)
Pea k F orward S urge C urrent : 8.3ms si ngle half si ne-
wave sup eri mpos ed on rated loa d(JE D E C method)
Maxi mum F orward Volta ge at 12 .5A, p er leg
Maxi mum D C Reverse C urrent T
J
=25
O
C
at Ra ted D C B loc ki ng Vo ltage T
J
=125
O
C
Typi ca l Thermal Resi stance
Ope ra ti ng Juncti on a nd S torage Temperature Rang e
S YMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
MB R254 0C T MB R2545C T MB R2550C T MB R2560C T MB R2580C T MB R259 0C T MB R2510 0C T MB R2515 0C T MB R2520 0C T
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
25
200
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.7
0.75
0.05
20
2
0.8
0.9
V
mA
O
C / W
O
-50 to + 150
-65 to +175
C
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
November 17,2011-REV.04
PAGE . 1
《MCU工程师炼成记》印刷错误2
第75页,//设置P1.3为输入 P1DIR &=~0x80;应为 P1DIR &=~0x08; 下面的第二段程序也一样...
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