Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PJESDZ6V8-2G

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PJESDZ6V8-2G: 产品描述20 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小83KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESDZ6V8-2G概述

20 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

PJESDZ6V8-2G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	7.2 V
最小击穿电压	6.2 V
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	20 W
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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PJESDZ6V8-2G

E.S.D. Dual Protection Diode Array

This Dual Unidirectional ESD Protector Array family have been designed to protect

sensitive equipment against ESD in high speed transmission buses, operating at

5V. This dual array offers an integrated solution to protect up to

2 data lines in a unidirectional mode or, 1 data line in a bi-directional mode, in

application where the board space is a premium, in our SOT523 package

version.

PANJIT SOT523

SPECIFICATION FEATURES

IEC61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance

Low Leakage Current, Maximum of 0.5µA at rated voltage

Maximum Capacitance of 10pF per device at 0Vdc 1MHz

Peak Power Dissipation of 20W 8/20µs Waveform

Pin to pin compatible with standard SOT523

Lead Free Package 100% Tin Plating, Matte finish

Low profile, Max height of 0.55mm

APPLICATIONS

Mobile Phones

Digital Cameras

Notebooks PC's

MAXIMUM RATINGS (Per Device)

Rating

Peak Pulse Power (8/20µs Waveform)

Peak Pulse Current (8/20µs Waveform)

ESD Voltage (HBM Per MIL STD883C - Method 3015-6)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

PPM

ESD

stg

Value

-55 to +125

-55 to +150

Units

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Device)

Tj = 25°C

Parameter

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Clamping Voltage (8/20µs)

Off State Junction Capacitance*

Symbol

WRM

= 1mA

= 5V

I pp = 2A

0 Vdc Bias f = 1MHz

between pin 1, 2 to 3 (Gnd)

Conditions

Min

Typical

Max

5.0

Units

µA

6.2

7.2

0.5

* Capacitance between pins 1 and 2 is half of the value, in a bi-directional configuration.

12/9/2008

Page

www.panjit.com

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