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PJESDA6V8-4G: 产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小163KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESDA6V8-4G概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称：Protection Device TVS/ESD Arrays

产品型号：PJESDA6V8-4G

产品参数：

Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM ：40W

Reverse Stand-off Voltage VRWM： Max=5V

Reverse Leakage IR@VRWM ： Max=1μA

Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp ： 12V

Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp ：4A

Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co ：Max=35pF

Package：SOT-553

PJESDA6V8-4G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PDSO-F5
针数	5
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大击穿电压	7.04 V
最小击穿电压	6.37 V
配置	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F5
最大非重复峰值反向功率耗散	40 W
元件数量	4
端子数量	5
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.3 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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PJESDA5V6-4G SERIES

QUAD ARRAY FOR ESD PROTECTION

FEATURES

• Low Leakage < 1A@V

RWM

• Breakdown Voltage : 5.6Volt-6.7Volt@1mA

• ESD Protection Meeting IEC61000-4-2-Level 4

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

SOT-553

MECHANICAL DATA

Case : SOT-553, Plastic

Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx. Weight : 0.003 gram

MAXIMUM RATINGS (T

=25

C unless otherwise noted)

Parameter

P e a k P o we r D i s s i p a t i o n (8 x2 0

s

@ T

= 2 5

C ) (No te 1 )

S t e a d y S ta t e P o we r -1 D i o d e (No te 2 )

The r ma l Re s i s t a nc e J unc t i o n t o A m b i e nt A b o ve 2 5

C ,D e ra t e

L e a d S o ld e r Te mp e ra t ure (1 0 s e c o nd s d ura t i o n)

O p e ra t i ng J unc t i o n a nd S t o ra g e Te mp e r a tur e Ra ng e

Symbol



, T

S TG

Limits

300

370

2.7

260

-55 to +150

Unit

C/W

mW/

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional

operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Condtions may affect device reliability.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25

B re a k do wn Volta g e

B R

@1 mA (Vo lts )

Part Number

Mi n

PJESDA5V6-4G

PJESDA6V2-4G

PJESDA6V8-4G

5.32

5.89

6.37

No m

5.6

6.2

6.7

Ma x

5.88

6.51

7.04

L ea k a ge C urre nt

RWM

3.0

4.3

5.0

RWM

Ma x@I

Max Capacitance

@0V Bias

1MHz

Marking

A

5.0

4.5

4.0

1.Non-repetitive current per Figure 1.

2.Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, P

will be 25%. Mounted on FR-4 board with min pad

REV.0.1-JUN.12.2009

PAGE . 1

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