512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | QFP, QFP100,.63X.87 |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 3.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 167 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
内存密度 | 18874368 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QFP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 2.5,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.13 A |
最小待机电流 | 2.38 V |
最大压摆率 | 0.3 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.635 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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