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TSC5302D_10

产品描述High Voltage NPN Transistor with Diode
文件大小230KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSC5302D_10概述

High Voltage NPN Transistor with Diode

TSC5302D_10相似产品对比

TSC5302D_10 TSC5302DCHC5 TSC5302DCPRO
描述 High Voltage NPN Transistor with Diode High Voltage NPN Transistor with Diode High Voltage NPN Transistor with Diode
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code - compli compli
最大集电极电流 (IC) - 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 - 400 V 400 V
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE) - 5 5
JEDEC-95代码 - TO-251 TO-252
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 2
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - NPN NPN
表面贴装 - NO YES
端子形式 - THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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