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1N4006G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小171KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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1N4006G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM)

1N4006G规格参数

参数名称属性值
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间1 µs
反向测试电压800 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4001G THRU 1N4007G, BY133G
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1300 Volts
Forward Current -
1.0 Ampere
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
Glass passivated cavity-free junction
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
1.0 ampere operation at T
A
=75 with no thermal runaway
Typical I
R
less than 0.1 A
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case:
DO-41 molded plastic over glass body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.012 ounce, 0.335 gram
DIM ENSIONS
DIM
A
B
C
D
inches
Min.
0.165
0.079
0.028
1.000
Max.
0.205
0.106
0.034
-
Min.
4.2
2.0
0.71
25.40
mm
Max.
5.2
2.7
0.86
-
Note
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Symbols
1N
4001G
1N
4002G
1N
4003G
1N
4004G
1N
4005G
1N
4006G
1N
4007G
BY
133G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=75
Peak forward surge current
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25
T
A
=125
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
R
JA
JL
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30.0
1.1
5.0
50.0
2.0
8.0
55.0
25.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1300
910
1300
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
A
S
F
/W
Typical reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3)
Operating junction and storage temperature range
T
J
, T
STG
-65 to +175
Notes:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
1

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