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W988D2FBJX7E

产品描述8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90
产品类别存储    存储   
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
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W988D2FBJX7E概述

8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90

8M × 32 同步动态随机存取存储器, 5.4 ns, PBGA90

W988D2FBJX7E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Winbond(华邦电子)
零件包装代码BGA
包装说明8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-90
针数90
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
备用内存宽度16
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度13 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.025 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

W988D2FBJX7E相似产品对比

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描述 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 90 90 90 90 90 90 90 90 90 -
组织 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 -
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES -
温度等级 OTHER INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL -
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
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