Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1.5KE33A

文档预览

1.5KE33A: 产品描述瞬态电压抑制二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小177KB，共5页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

下载文档详细参数全文预览

1.5KE33A概述

瞬态电压抑制二极管

1500 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-201

功能特点

产品名称：瞬态电压抑制二极管

产品型号：1.5KE33A

产品特征：

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

Exceeds environmental standards of MIL-STD-19500

1500W surge capability at 10 x 100us waveform,duty cycle: 0.01%

Excellent clamping capability

Low zener impedance

Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volts to VBR for unidirectional and 5.0 ns for bidirectional

Typical IR less than 1uA above 10V

High temperature soldering guaranteed:2500C/ 10 seconds/.375",(9.5mm) lead length / 5lbs.,(2.3kg) tension

机械数据：

Cases: Molded plastic

Lead :Axial leads, solderable per MIL- STD-202, Method 208

Polarity: Color band denotes cathode except Bipolar

Weight: 0.94 gram

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

产品数据：

Peak Power Dissipation at TA=25℃, TP=1ms PPK 正向功耗：Minimun 1500W

Steady State Power Dissipation at TL=25℃ PD 稳定功耗：5.0W

Peak Forward Surge Current IFSM 正向脉冲流： 200A

Maximum Instaneous Forward Voltage at 25A for Unidirectional Only VF 正向压降：3.5 /5.0V

Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温：-55 to +175℃

Nominal Voltage 额定电压：33V

Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压： Min: 31.4V Max：34.7V

Test Current at IT 测试电流：1.0mA

Stand-Off Voltage Vwm 变位电压：28.2V

Max Reverse Leakage at Vwm ID 最大反向漏电流： 5.0uA

Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流：34A

Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压：45.7V

Maximun Temperature Coefficient of VBR 最大温度系数： 0.098%/℃

封装：DO-201AD

1.5KE33A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
击穿电压标称值	33 V
最大钳位电压	45.7 V
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码	e3
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	28.2 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)

1.5KE33A文档预览

下载PDF文档

全文
预览

1.5KE SERIES

瞬变电压抑制二极管

Transient Voltage Suppressor Diodes

■特征

Features

●

1500W

●

6.8V-540V

■外½尺寸和印记

Outline Dimensions and Mark

DO-201AD

1.0(25.4)

MIN

.375(9.50)

.335(8.50)

1.0(25.4)

MIN

.052(1.30)

.028(0.71)

DIA

Unit: in inches (millimeters)

■用途 Applications

●

箝½电压用 Clamping

Voltage

.220(5.60)

.197(5.00)

DIA

■极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values (Absolute Maximum Rating)

参数名称

Item

最大损耗功率

Peak power dissipation

最大脉冲电流

Peak pulse current

功率损耗

Power dissipation

最大正向浪涌电流

Peak forward surge current

工½结温和存储温度范围

Operating junction and storage

temperature range

符号

Symbol

PPPM

IPPM

IFSM

TJ,TSTG

单½

Unit

℃

条件

Conditions

在10/1000us 波½下测试

with a 10/1000us waveform

在10/1000us 波½下测试

with a 10/1000us waveform

无限散热片@

TL=75℃

on infinite heat sink at TL=75℃

8.3ms正弦半波，仅单向型

8.3 ms single half sine-wave unidirectional only

最大值

Max

1500

见下面表格

See Next Table

6.5

200

-55 to +175

■电特性（T

a=25

℃

除非另有规定）

Electrical Characteristics（Ta=25

℃

Unless otherwise specified）

参数名称

Item

最大瞬间正向电压（1）

Maximum instantaneous forward

Voltage（1）

典型热阻

Thermal resistance

符号

Symbol

θJA

θJL

单½

Unit

℃/W

条件

Conditions

在25A下测试，仅单向型

at 25A for unidirectional only

结到环境

junction to ambient

结到引线

junction to lead

最大值

Max

3.5/5.0

15.4

备注：Notes:

1. VF=3.5V适用于1.5KE220(A)及其以下型号；VF=5.0V适用于1.5KE250(A)及其以上型号

VF = 3.5 V for 1.5KE220(A) and below; VF = 5.0 V for 1.5KE250(A) and above

Document Number 0236

Rev. 1.0, 22-Sep-11

扬州扬杰电子科技股½有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

推荐资源

单片机学习资料: 单片机学习资料...; tanghaideng10 51单片机

【CN0224】使用ADV7612接收机的四通道HDMI输入、快速开关多路复用器: 电路功能与优势ADV7612是一款双端口Xpressview™ 225 MHz HDMI®接收机，可在两个输入端之间实现快速开关。图1显示了使用两个ADV7612作为四路输入快速开关HDMI接收机的电路。 88175 8 ......; EEWORLD社区 ADI 工业技术

lm3s9b95 UART1 的TX口为什么总是低啊: 如标题...; woaidoudou 单片机

诚聘嵌入式软件工程师: 猎头职位【苏州】岗位职责： 1、负责公司嵌入式产品的软件研发； 2、使用C/C++语言进行嵌入式产品开发，参与嵌入式软件需求开发、设计、修改工作； 3、按照流程进行软件代码设计、技术文档 ......; ff318421749 求职招聘

正负12V电源，MC340463,仿真可以，但做出来极限就-5V左右: 420790 ...; YJJ盛夏电源技术

湖南赛区电设获奖名单: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:52 编辑湖南赛区电设获奖名单可以在哪里看得到啊？？？本帖最后由 lilysancy 于 2011-9-10 10:27 编辑 ] ...; lilysancy 电子竞赛

韩国半导体代工厂MagnaChip已申请破产保护

法院相关文件显示，南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductorLtd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导，MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元，负债则超过10亿美元。2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混...[详细]
台积电震荡背后：一封信让张忠谋10分钟撤CEO

台积电董事长张忠谋(左)和前CEO蔡力行(右)　　导读：台湾《商业周刊》昨日撰文独家披露台积电CEO蔡力行下台内幕：董事长张忠谋用超过十年的时间，培养蔡力行做接班人，却因一封员工来信，只用十分钟董事会决议的时间，收回他的权力。以下为全文：　　“Rick(台积电前CEO蔡力行英文名)被留校察看了吗？”“怎么会这么严重？！”　　6月11日下午三点钟，台积电两万名员工收到一封电子邮件...[详细]
芯片-封装协同设计方法优化SoC设计

随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。因此需要一种更精确、更高效的I/O接口设计方法，特别是针对倒装芯片设计的I/O接口设计方法。这种一体化芯片-封装协同设计方法应允许开展早期的可行性研究，还要能优化封装和芯片接口设计，同时能满足芯片和封装需要的严格约束条件。目前，大...[详细]
ST 推出高温栅灵敏型双向晶闸管

意法半导体推出首款栅灵敏度10mA、额定工作温度高达150℃的双向晶闸管。通过节省散热器、栅驱动电源和缓冲电路，新产品可以让设计人员为加热器、电机、小家电开发低成本的电源驱动解决方案。全新产品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大额定电流分别为4A、6A、8A和10A。10mA的低栅电流让双向晶闸管可直接进行逻辑级开关操作，这个优点可减少元器件的数量，降低电源的尺...[详细]
跨越挑战，台湾地区在半导体领域再创新契机

如果你认为台湾地区已然在半导体领域失去优势，那么，请再仔细地思考一下。虽然台湾地区并不像中国大陆、印度或越南那样经常被提及，但无可否认，对全球电子产业的主要厂商来说，台湾地区仍然是一个最主要的标的。多年来，台湾地区在计算机运算领域素负盛名，为全球知名品牌如Sony、NEC、Toshiba等企业制造计算机。然而，最近几年来，台湾地区也向其它领域跨出了脚步，特别是针对汽车与无线...[详细]
探索发展中国半导体产业的新模式

在金融危机下，中国半导体业开始放缓速度，如果从以外销为主的中国市场看，这也是正常的。可能危机对于中国真是个契机，因为全球众多的厂商正面临市场萎缩，而中国强大的内需市场正好是推动中国设计业变革的最好时机，所以深圳的变化可能印证这一点。国内IC设计业最大的伤处有两点：一是无法与国内终端厂商有效的结合，另一个是企业多、规模小，很难跨越5亿美元以上的门槛。然而，此次来深圳有一个新的感受，...[详细]
中国芯“海思”将成另一个大陆比亚迪

最近大陆市场不断传出支持本土手机晶片设计公司海思科技的声浪，并认为海思才是真正的“中国芯”。由于海思在智慧型手机、3GWCDMA等与联发科多所重叠，不禁让人联想，海思有可能会成为另一个大陆比亚迪。海思是大陆最大网通设备厂商投资成立的手机晶片公司，海思的出现，被视为大陆手机产业的一大突破。大陆产业界认为，山寨机虽为大陆手机产业带来很高的产值，但使用的手机平台大同小异，导致手机产业...[详细]
涉猎多晶硅遭寒流 300亿投资冲动隐忧

曾令市场无限憧憬多晶硅业务，似乎风光不再。7月6日，川投能源(600674.SH)发布的业绩预减公告即为佐证，“经测算，预计上半年净利润在1.1亿-1.29亿元，同比下降35%-45%。”原因则是川投能源参股企业新光硅业受宏观经济影响，国内外市场需求放缓，价格下降，公司投资收益减少，从而影响净利润。好在暴跌数月的多晶硅价格，似乎开始随着下游的需求转暖而企稳回升。...[详细]
Ramtron推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器

RamtronInternationalCorporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb)F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态RAM(SRAM)引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机...[详细]
TFT高性能光刻胶国产化势在必行

TFT-LCD产业是当今产业界几个高成长产业之一。近10年来，日本、韩国及我国台湾等国家和地区，已经为它投资了上千亿美元，形成地域相当集中、规模相当巨大的产业集群。　　我国光刻胶用量逐年增加　　中国液晶产业始于1980年，起步并不晚。但是我们长期限于TN、STN-LCD。在2003年后才真正开始大规模建设TFT-LCD生产线，目前已经量产的厂家主要是京东方、上广电、龙腾和深超...[详细]
英特尔蝴蝶效应令全球经济亮起曙光

就像亚马逊河海流的蝴蝶展翅，居然掀起了一阵飓风一般，这回英特尔公布第二季财报，竟然成为全球经济的多空重要转捩点，这是令人难以想像的事。七月十四日，英特尔一反过去两季不公布财测的作法，公布二ＯＯ九年第二季营收，季成长一二％，到达八十．二亿美元，创下二十一年来最大成长纪录。英特尔第二季营收在欧洲较去年同期减少三四％，在美洲减少一四％，亚太区减少六．二％，为四十四．一亿美元，但季成长达...[详细]
从正反案例谈本土IC设计公司发展策略

2009年已经过去一半，现在产业谈论最多的已经不是分析危机的影响，而是如何在未来的经济复苏中抓住机遇获得发展了，在经济危机期间，我采访了很多著名半导体公司的CEO或者CTO，从这些访谈中，我感受到经济危机带来的积极一面是很多产业人士能务实客观地分析或总结半导体产业的发展，基于这些访谈以及一些个人的分析，这里分享一下个人对本土半导体芯片公司发展的五个建议，希望更多本土IC设计公司可以抓住经济...[详细]
谁走在半导体工艺制程的前列

在摩尔定律推动下，工艺技术的缩微没有停止，基本上每两年一个台阶，今年可达32纳米(注释，通常指微处理器的量产还要推迟几个季度)。其实走在缩微制程最前面的是NAND闪存。据IMFlash报道，已于2008年11月时实现34纳米的32GNAND闪存量产。今年7月21日报道80G的MLCSSD(固态硬盘)价格已由595美元下降到225美元，及160GMLCSSD的价格由94...[详细]
家电下乡中国大陆半导体产业未分得一杯羹

全球半导体产业市占前几大业者第2季财报表现亮眼，显示全球半导体业已触底反弹，反观中国大陆半导体业则乍暖还寒，复苏情况仍显迟滞。据美国半导体协会(SemiconductorIndustryAssociation；SIA)公布的报告显示，2009年第2季全球半导体销售额比第1季成长17%，显示全球市场需求逐渐回升。相较之下，中国大陆半导体产业，2009年第1季成长率大幅萎缩3...[详细]
三星预估DRAM增长10-15% 分析师称过于保守

韩国电子公司三星宣布，预估今年DRAM出货量将增长10-15%，而NAND闪存出货则估计上涨25-30%。三星高层曾在4月表示，预估广泛用于个人电脑的DRAM芯片，在今(2009)年出货量将有10%-15%的增长，由去年10月的预估值降下来。在互联网上公开的简报文件显示，三星也预期专用于消费性电子设备的NAND，今年出货将增长25-30%。三星近两年来经历了...[详细]

小广播

热搜元器件