Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SF52

文档预览

SF52: 产品描述Super Fast Rectifier 超快恢复二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小124KB，共2页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

下载文档详细参数全文预览

SF52概述

Super Fast Rectifier 超快恢复二极管

功能特点

产品名称：Super Fast Rectifier 超快恢复二极管

产品型号：SF52

产品特征：

Io ：5.0A

VRRM ：50V-600V

耐正向浪涌电流能力高

High surge current capability

用途：

整流用Rectifier

产品数据：

Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 反向重复峰值电压：100V

Average Forward Current IF(AV) 正向平均电流：5.0A

Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM 正向（不重复）浪涌电流：150A

Junction Temperature TJ 结温：-55 to +125 ℃

Storage Temperature TSTG储存温度：-55 to +150 ℃

Peak Forward Voltage (IFM=5.0A) VFM 正向峰值电压：0.95V

Peak Reverse Current (VRM=VRRM) IRRM1 (Ta=25℃) 反向峰值电流：5μA

IRRM2 (Ta=125℃) 反向峰值电流：50μA

Reverse Recovery time (IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A) trr 反向恢复时间：35ns

Thermal Resistance (Typical) RθJ-A 热阻（典型）：30 ℃/W ；RθJ-C 热阻（典型）：10 ℃/W

封装： DO-201AD

SF52规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.95 V
最大非重复峰值正向电流	150 A
元件数量	1
最高工作温度	125 °C
最大输出电流	5 A
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.035 µs
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

SF52文档预览

下载PDF文档

全文
预览

SF51 THRU SF58

超快恢复二极管

Super Fast Rectifier

■特征

Features

■外½尺寸和印记

Outline Dimensions and Mark

(DO-201AD )

.375(9.50)

1.0(25.4)

MIN

.335(8.50)

1.0(25.4)

MIN

●I

5.0A

●VRRM

50V-600V

●耐正向浪涌电流½力高

●High

surge current capability

■用途

Applications

●整流用

Rectifier

.197(5.00)

.048(1.20)

Unit: in inches (millimeters)

■极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values (Absolute Maximum Rating)

参数名称

Item

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse Voltage

正向平均电流

Average Forward Current

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-repetitive)Forward

Current

结温

Junction Temperature

储存温度

Storage Temperature

符号

Symb

RRM

F(AV)

FSM

STG

单½

Unit

条件

Conditions

正弦半波

60Hz,电阻负½½,Ta=50

℃

60Hz Half-sine wave, Resistance

load, Ta=50℃

正弦半波

60Hz，

一个周期，

Ta=25℃

60Hz Half-sine wave,1 cycle,

Ta=25℃

100

150

200

5.0

300

400

500

DIA

.220(5.60)

.052(1.30)

600

℃

150

-55~+125

-55 ~ +150

■电特性

（Ta=25℃ 除非另有规定）

Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)

参数名称

Item

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

反向峰值电流

Peak Reverse Current

反向恢复时间

Reverse Recovery time

热阻(典型)

Thermal

Resistance(Typical)

符号

Symbol

RRM1

RRM2

J-A

单½

Unit

μA

测试条件

Test Condition

=5.0A

RRM

Ta=25℃

0.95

1.3

1.7

℃

J-L

Ta=125℃

=0.5A I

=1A

=0.25A

结和环境之间

Between junction and ambient

结和引线之间

Between junction and lead

Document Number 0154

Rev. 1.0, 22-Sep-11

扬州扬杰电子科技股½有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

推荐资源

LCR表简介: 国内外知名LCR表简介，各种参数 ...; 1000810211 模拟与混合信号

今年的PCIM有人去吗？: 看了下今年的PCIM参加的厂商，目前好像很少唉。不知道研讨会精不精彩有会去的朋友吗？:loveliness: Aavid Termalloy ChinaAuxel FTG (Shanghai) Co., Ltd ChinaAVX / Kyocera(S) Pte L ......; 安_然模拟电子

晶体管放大电路失真问题: 如何用晶体管搭建一个放大电路，要求输入为1V，输出至少放大一倍，这么大的输入怎么做到不失真呢？ ...; 慕森JC 模拟电子

MSP430驱动5110: MSP430驱动5110...; 1320gzg 微控制器 MCU

AD7849: 有用过AD7849的大侠没，我在控制的过程中为什么给的相同的控制字，输出的电压会不同。还有，本来十六位的控制字，但是我在调试的时候发现，只送了12或11位它就开始输出电压，很奇怪，不知道什么 ......; she_xiang ADI 工业技术

用altera自带的eclipse的问题，麻烦有大神用过的给我看看: 我只是想调试一下c语言有没有错误，总是出现这个提示，看各种教程也没看到怎么具体配置eclipse，我是在intel官网下载的quartus18.0版本标准版，自带的eclipse，这提示是不是还需要下载一个什么g ......; yym86202 FPGA/CPLD

SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2TbQLCNAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量N...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
从生成式AI到代理式AI：半导体技术赋能下一波创新浪潮

AI领域始终在不断演进，我们正见证一场从“生成式AI”时代到“代理式AI”时代的深刻变革。这场变革有望重塑各行各业，并释放前所未有的发展机遇。与此同时，这也需要我们提供更具创新性的技术解决方案，从而精准满足这些新兴工作负载的独特需求。如今，代理式AI正驱动各行各业变革性应用的落地。机器人领域正经历巨变，从简单的自动化发展到仓库应用、制造业等领域的复杂自主代理。与此同时，智能边缘计算也将被...[详细]
传言英伟达下一代图形处理器Rubin量产可能推迟

据台湾媒体称，由于重新设计，英伟达的下一代图形处理器Rubin在台积电的量产进度可能会面临延迟。富邦金服分析师ShermanShang在一份研究报告中表示：“我们认为Rubin很可能会被推迟。Rubin的第一个版本已于6月底流片，但英伟达目前正在重新设计该芯片，以便更好地匹配AMD即将推出的MI450。”然而，英伟达否认了Rubin时间表的任何延迟。...[详细]
璞璘交付中国首台半导体级步进纳米压印光刻机，支持＜10nm 线宽

8月5日消息，璞璘科技PRINANO今日宣布其在8月1日成功向一家国内特色工艺客户交付其自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻(NIL)系统PL-SR。璞璘在PL-SR系列设备上成功攻克喷墨涂胶工艺多项技术瓶颈，实现了纳米级的压印膜厚，达到了平均残余层＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7:1的技术指标，可对应线宽＜10nm的NIL工艺...[详细]
NVIDIA重返中国市场无望黄仁勋揭秘原因

“最先进的芯片，我们不会允许除美国以外的任何人拥有”，特朗普近日接受采访时表示。这也意味着，只有美国客户才能获得NVIDIA提供的顶级Blackwell芯片。NVIDIACEO黄仁勋上周表示，由于中国方面对该公司的态度，NVIDIA没有寻求美国对中国市场的出口许可证。“他们已经非常明确地表示，他们现在不希望NVIDIA进入中国市场，”他在一次开发者活动中说道，并补充说，NVIDIA需要进...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
英特尔发布2025年第三季度财报

第三季度营收137亿美元，同比增长3%。英特尔第三季度每股收益（EPS）为0.90美元；非通用会计准则（Non-GAAP）每股收益为0.23美元。预计2025年第四季度营收为128亿至138亿美元；每股收益（损失）为（0.14）美元，非通用会计准则每股收益预计为0.08美元。英特尔的前瞻性预测已不包括Altera，因对其多数股权的出售已于2025年第三季度完成。美国加利福尼亚州...[详细]
美光疯狂挖三星、SK海力士墙角 2亿韩元工资招芯片人才

韩国是世界上最大最先进的存储芯片生产国，内存和闪存都是世界第一，这两年来在HBM内存上尤其领先。这当然也引来竞争者的关注，美国的美光公司就在韩国挖墙角了，主要针对三星及SK海力士的芯片工程师，招聘的是经验丰富的人才。既然挖人，给出的待遇就很不错，开出的薪资高达2亿韩元，约合14.1万美元或者100万元人民币，比韩国普通员工的工资高多了。招聘的工作机会尤其跟HBM高度相关，不仅有HBM研发，...[详细]
消息称 AMD 已以台积电 N3P 工艺流片下代 Radeon GPU，目标 2027 年中推出

12月26日消息，消息人士@Kepler_L2在参与X平台上有关AMD与三星潜在合作可能的讨论时表示，AMD的下一代RadeonGPU芯片已在台积电N3P工艺制程节点完成流片，预计在2027年中（IT之家注：应即当年的COMPUTEX台北国际电脑展上）发布。换句话说，下代RadeonGPU的公布时间将同现有RDNA4系列间隔约2.5年，...[详细]
边缘 AI 迎来规模化落地临界点,思佳讯高管解读技术融合与产业机遇

2025年，边缘人工智能（EdgeAI）成为全球芯片产业的核心热议话题，各大厂商纷纷加码布局。随着CES2026国际消费电子展即将于一周后启幕，边缘智能技术驱动的各类创新产品将集中亮相，标志着这一领域正从技术探索迈向规模化应用的关键阶段。近日，EETimes专访思佳讯（Skyworks）基础设施、电源与多市场业务部副总裁MarioBattello，深度剖析边缘AI崛起的核心逻辑、...[详细]
工信部部长会见AMD CEO苏姿丰：希望继续深耕中国市场

12月18日消息，据“工信微报”公众号消息，日前，工业和信息化部部长李乐成在北京会见美国超威半导体公司（AMD）董事会主席兼首席执行官苏姿丰。双方就加强数字经济、人工智能领域合作等议题进行交流。李乐成表示，中国拥有丰富的数据资源和应用场景，数字技术、人工智能等正快速发展、赋能千行百业。中国将坚定不移推进新型工业化，不断扩大高水平对外开放，为包括AMD在内的外资企业提供更多合作机遇。希望A...[详细]
微软宣布未来四年将在印度投资 175 亿美元，布局 AI 与云计算业务

12月10日消息，微软计划未来四年在印度投资175亿美元（现汇率约合1238.64亿元人民币），扩大其在该南亚国家的人工智能（AI）与云计算业务布局。印度庞大的互联网用户和智能手机用户群体，正使其成为全球科技公司竞相争夺的关键市场。这项于当地时间周二宣布的投资是微软在亚洲有史以来规模最大的一笔投资，将用于2026至2029年间新建数据中心、部署AI基础设施，并开展数字...[详细]
意法半导体总裁兼首席财务官Lorenzo Grandi 将在巴克莱投资者会议上发表讲话

2025年12月5日–中国，意法半导体总裁兼首席财务官LorenzoGrandi将于2025年12月11日星期四中欧时间晚上7点25分（即北京时间12月12日凌晨2点25分），在旧金山举行的巴克莱第23届全球技术年会上发表演讲。...[详细]
贸泽电子授权代理知名制造商TE Connectivity逾75万种元器件

2025年12月4日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)供应全球知名连接器和传感器制造商TEConnectivity的新品和解决方案。贸泽供应来自TEConnectivity(TE)的全系列产品，共有超过75万个TE料号开放订购，并可迅速发货。其中一款新品为TEGEMnetMulti-Gig差分连...[详细]

小广播

热搜元器件