Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> US1M

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US1M: 产品描述High Efficient Rectifier 高效整流二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小127KB，共2页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

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US1M概述

High Efficient Rectifier 高效整流二极管

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管

功能特点

产品名称：High Efficient Rectifier 高效整流二极管

产品型号：US1M

产品特征：

Io ：1.0A

VRRM ：50V-1000V

耐正向浪涌电流能力高

High surge current capability

用途：

整流用Rectifier

产品数据：

Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 反向重复峰值电压：1000V

Average Forward Current IF(AV) 正向平均电流：1.0A

Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM 正向（不重复）浪涌电流：30A

Junction Temperature TJ 结温：-55 to +125 ℃

Storage Temperature TSTG储存温度：-55 to +150 ℃

Peak Forward Voltage (IFM=1.0A) VFM 正向峰值电压：1.7V

Peak Reverse Current (VRM=VRRM) IRRM1 (Ta=25℃) 反向峰值电流：5μA

IRRM2 (Ta=125℃) 反向峰值电流：50μA

Reverse Recovery time (IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A) trr 反向恢复时间：50ns

Thermal Resistance (Typical) RθJ-A 热阻（典型）：55 ℃/W ；RθJ-L 热阻（典型）：25 ℃/W

封装： SMA-W

US1M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.7 V
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
最高工作温度	125 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	1000 V
最大反向恢复时间	0.075 µs
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

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US1A THRU US1M

高效整流二极管

High Efficient Rectifier

■特征

Features

■外½尺寸和印记

SMA-W

.181(4.60)

.157(4.00)

.104(2.65)

.095(2.40)

Outline Dimensions and Mark

Mounting Pad Layout

0.065

(1.66)

0.080

(2.04)

0.077(1.96)

●I

1.0A

●VRRM

50V-1000V

●耐正向浪涌电流½力高

●High

surge current capability

.205(5.20)

.189(4.80)

■用途

Applications

.089(2.25)

.096(2.45)

●整流用

Rectifier

.059(1.50)

.031(0.80)

.004(0.10)

.007(0.20)

.064(1.63)

.050(1.27)

0.220

(5.58)

Dimensions in inches and (millimeters)

■极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values (Absolute Maximum Rating)

参数名称

Item

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse Voltage

正向平均电流

Average Forward Current

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-repetitive)Forward

Current

结温

Junction Temperature

储存温度

Storage Temperature

符号

Symb

RRM

F(AV)

FSM

STG

单½

Unit

条件

Conditions

正弦半波

60Hz,电阻负½½,Ta=50

℃

60Hz Half-sine wave, Resistance

load, Ta=50℃

正弦半波

60Hz，

一个周期，

Ta=25℃

60Hz Half-sine wave,1 cycle,

Ta=25℃

100

200

300

400

600

800 1000

1.0

-55~+125

-55 ~ +150

℃

■电特性

（Ta=25℃ 除非另有规定）

Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)

参数名称

Item

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

反向峰值电流

Peak Reverse Current

反向恢复时间

Reverse Recovery time

热阻(典型)

Thermal

Resistance(Typical)

符号

Symbol

RRM1

RRM2

J-A

单½

Unit

μA

测试条件

Test Condition

=1.0A

RRM

Ta=25℃

1.0

1.3

1.7

℃

J-L

Ta=125℃

=0.5A I

=1A

=0.25A

结和环境之间

Between junction and ambient

结和引线之间

Between junction and lead

Document Number 0143

Rev. 1.0, 22-Sep-11

扬州扬杰电子科技股½有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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