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UF3006PT

产品描述Product Status:Active, IF(V):30, VRRM Max.(nS):600, TRR(A):90, IFSM(V):250, VF Max.(A):1.7, @IF(µA):15, IR Max.(V):10, @VRRM:600
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF3006PT概述

Product Status:Active, IF(V):30, VRRM Max.(nS):600, TRR(A):90, IFSM(V):250, VF Max.(A):1.7, @IF(µA):15, IR Max.(V):10, @VRRM:600

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UF3006PT
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity
• Ultra fast recovery times, high voltage
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
600 Volts
CURRENT
30 Amperes
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.839(21.30)
0.819(20.80)
0.095(2.40)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
MECHANCAL DATA
• Case: TO-3P molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.2245 ounces, 6.367 grams.
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urre nt
P e a k F o rw a r d S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e a t 1 5 A
per diode
per diode
per diode
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
t
rr
per diode
per diode
R
θJ
A
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
VA L UE
600
420
600
15
250
1.7
UNITS
V
V
V
A
A
V
μ
A
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
per diode
10
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e (No te s 1 )
Ma xi m um Re ve rs e Re c o ve r y Ti me (No te s 2 )
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e (No te s 3 )
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e (No te s 4 )
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te m p e ra tur e Ra ng e
80
90
37
2 .5
- 5 5 to + 1 5 0
O
pF
ns
C / W
C / W
O
O
C
NOTES :
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25A.
3. Mounted on minimum pad for each lead on board.
4. Mounted on infinite heatsink.
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PAGE . 1
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