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GI250-1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 1000V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小142KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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GI250-1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 1000V V(RRM)

GI250-1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)3.5 V
最大非重复峰值正向电流15 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.25 A
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO

GI250-1文档预览

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GI250-1 THRU GI250-4
HIGH VOLTAGE GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage -
1000 to 4000 Volts
Forward Current -
0.25 Ampere
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
High temperature metallurgically bonded construction
classification 94V-0
Glass passivated cavity-free junctions
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension.
Mechanical Data
Case:
DO-41 molded plastic over glass body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.012 ounce, 0.335 gram
DIM ENSIONS
DIM
A
B
C
D
inches
Min.
0.165
0.079
0.028
1.000
Max.
0.205
0.106
0.034
-
Min.
4.2
2.0
0.71
25.40
mm
Max.
5.2
2.7
0.86
-
Note
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Symbols
GI250-1
GI250-2
GI250-3
GI250-4
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=75
Peak forward surge current
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method) at T
A
=75
Maximum instantaneous forward voltage at 0.25A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25
T
A
=100
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
JA
1000
700
1000
2000
1400
2000
0.25
15.0
3.5
5.0
50.0
2.0
3.0
130.0
3000
2100
3000
4000
2800
4000
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
A
S
F
/W
Typical reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3)
Operating junction and storage temperature range
T
J
, T
STG
-60 to +175
Notes:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
1
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