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M69KB048BD70ZA8F

产品描述2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71
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文件大小653KB,共64页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准  
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M69KB048BD70ZA8F概述

2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71

M69KB048BD70ZA8F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71
针数71
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码R-XBGA-B71
长度11 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量71
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织2MX16
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7 mm

M69KB048BD70ZA8F相似产品对比

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描述 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, WAFER 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, ROHS COMPLIANT, WAFER 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-71 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, WAFER 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, ROHS COMPLIANT, WAFER 2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-71
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 BGA WAFER WAFER BGA BGA WAFER WAFER BGA
包装说明 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71 WAFER ROHS COMPLIANT, WAFER TFBGA, BGA71,8X12,32 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-71 WAFER ROHS COMPLIANT, WAFER 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-71
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码 R-XBGA-B71 X-XUUC-N X-XUUC-N R-XBGA-B71 R-XBGA-B71 X-XUUC-N X-XUUC-N R-XBGA-B71
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM PSEUDO STATIC RAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C
组织 2MX16 2MX16 2MX16 2MX16 2MX16 2MX16 2MX16 2MX16
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 TFBGA DIE DIE TFBGA TFBGA DIE DIE TFBGA
封装形状 RECTANGULAR UNSPECIFIED UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED UNSPECIFIED RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH UNCASED CHIP UNCASED CHIP GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH UNCASED CHIP UNCASED CHIP GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL NO LEAD NO LEAD BALL BALL NO LEAD NO LEAD BALL
端子位置 BOTTOM UPPER UPPER BOTTOM BOTTOM UPPER UPPER BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED
端子数量 71 71 71 71 71 - - 71
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - - 0.8 mm

 
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