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U634H256BDK35

产品描述Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小442KB,共13页
制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
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U634H256BDK35概述

Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

U634H256BDK35规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度34.7 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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