256K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO36
256K × 8 标准存储器, 10 ns, PDSO36
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 36 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.4 V |
额定供电电压 | 3.3 V |
最大存取时间 | 10 ns |
加工封装描述 | 0.400 INCH, 铅 FREE, 塑料, MS-027, SOJ-36 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | J BEND |
端子间距 | 1.27 mm |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 8 |
组织 | 256K × 8 |
存储密度 | 2.10E6 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 262144 words |
位数 | 256K |
内存IC类型 | 标准存储器 |
串行并行 | 并行 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved