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HER507G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-27, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小493KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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HER507G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-27, 2 PIN

HER507G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流2.5 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

HER507G文档预览

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HER501G THRU HER508G
High Efficient Rectifier
Features
● High efficiency
● High current capability
● High Reliability
● High surge current capability
● Glass passivated chip junction
● Solder dip 275 ° max. 7 s, per JESD 22-B106
C
RoHS
COMPLIANT
Mechanical Data
Package:
DO-201AD(DO-27)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable per J-STD-
002 and JESD22-B102
Polarity:
Color band denotes cathode end
■Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Device marking code
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Forward Current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta=50℃
Forward Surge Current(Non-repetitive)
@60Hz Half-sine wave, 1 cycle, Ta=25℃
Storage Temperature
Junction Temperature
V
RRM
I
F(AV)
V
A
SYMBOL
UNIT
HER501
G
HER501
G
50
HER502
G
HER502
G
100
HER503
G
HER503
G
200
HER504
G
HER504
G
300
5.0
HER505
G
HER505
G
400
HER506
G
HER506
G
600
HER507
G
HER507
G
800
HER508
G
HER508
G
1000
I
FSM
Tstg
Tj
A
150
-55 ~+150
-55~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode
SYMBOL
V
FM
I
RRM1
μA
I
RRM2
t
rr
ns
Ta=100℃
I
F
=0.5A I
R
=1A
I
RR
=0.25A
Measured at 1MHZ
and Applied Reverse
Voltage of 4.0 V.D.C.
50
150
75
UNIT
V
TEST CONDITIONS
I
FM
=5.0A
Ta=25℃
HER501 HER502 HER503 HER504 HER505 HER506 HER507 HER508
G
G
G
G
G
G
G
G
1.0
1.3
2.5
1.7
Reverse Recovery time
Typical junction capacitance
Cj
pF
85
60
Thermal Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal Resistance(Typical)
SYMBOL
R
θJ-A
UNIT
℃/W
HER501G HER502G HER503G HER504G HER505G HER506G HER507G HER508G
20
1/4
S-A288
Rev. 2.1, 21-Jan-15
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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