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W3HG2128M64EEU805XD4MG

产品描述Synchronous DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小188KB,共13页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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W3HG2128M64EEU805XD4MG概述

Synchronous DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

W3HG2128M64EEU805XD4MG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1820295224
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N200
JESD-609代码e4
长度67.6 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织256MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
座面最大高度30 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
宽度3.8 mm
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