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MMBTA56

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共1页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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MMBTA56概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBTA56规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

MMBTA56文档预览

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MMBTA55 / MMBTA56
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
POWER SEMICONDUCTOR
Features
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary NPN Types Available
(MMBTA05 / MMBTA06)
Ideal for Medium Power Amplification and
Switching
SOT-23
A
C
TOP VIEW
B
E
D
G
H
K
J
L
M
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
0.37
1.19
2.10
0.89
0.45
1.78
2.65
0.013
0.89
0.45
0.076
Max
0.51
1.40
2.50
1.05
0.61
2.05
3.05
0.15
1.10
0.61
0.178
Mechanical Data
B
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
MMBTA55 Marking: K2H, R2H
MMBTA56 Marking: K2G, R2G
Weight: 0.008 grams (approx.)
E
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
STG
MMBTA55
-60
-60
-4.0
-500
350
357
-55 to +150
MMBTA56
-80
-80
Unit
V
V
V
mA
mW
K/W
°C
Characteristic
Collector Current - Continuous (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage and Temperature Range
Electrical Characteristics
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base- Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
Note:
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
MMBTA55
MMBTA56
Min
-60
-80
-60
-80
-4.0
Max
Unit
Test Condition
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEX
-100
-100
V
V
V
nA
nA
I
C
= -100µA, I
E
= 0
I
C
= -1.0mA, I
B
= 0
I
E
= -100µA, I
C
= 0
V
CB
= -60V, I
E
= 0
V
CB
= -80V, I
E
= 0
V
CE
= -60V, I
BO
= 0V
V
CE
= -80V, I
BO
= 0V
I
C
= -10mA, V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA, V
CE
= -1.0V
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
I
C
= -100mA, V
CE
= -1.0V
V
CE
= -1.0V, I
C
= -100mA,
f = 100MHz
h
FE
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
100
-0.25
-1.2
V
V
f
T
50
MHz
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width
300µs, duty cycle
2%.
DS30054 Rev. A-2
1 of 1
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