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SK22ET/R7

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SK22ET/R7概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

SK22ET/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AA
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SK22ET/R7文档预览

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SK22E~SK26E
MINI SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
• ESD Passed devices : Air mode 15KV ,human body mode 8KV
20 to 60 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
• Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity:
Color band denotes cathode end
• Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0032 ounce, 0.092 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Maxi mum Recurrent P eak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C B locki ng Voltage
Maxi mum A verage Forward C urrent T
L
=105
O
C
P eak Forward S urge C urrent :8.3ms si ngle half si ne-wave
superi mposed on rated load(JE D E C method)
Maxi mum Forward Voltage at 2.0A ( Note 1)
Maxi mum D C Reverse C urrent T
J
=25
O
C
at Rated D C B locki ng Voltage T
J
=100
O
C
Typi cal Thermal Resi stance ( Note 2)
Operati ng Juncti on Temperature Range
S torage Temperature Range
S YMB OL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J L
T
J
T
S T G
S K 22E
20
14
20
S K 23E
30
21
30
S K 24E
40
28
40
2.0
50
S K 25E
50
35
50
S K 26E
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
0.5
0.2
20
12
-55 to +125
-55 to +150
0.7
0.1
20
O
V
mA
C/W
O
-55 to +150
C
C
O
NOTES:
1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.
2. Mounted on P.C. Board with 8mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
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