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IRG4CH30KBPBF

产品描述1200V, N-CHANNEL IGBT, 6 INCH, WAFER
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRG4CH30KBPBF概述

1200V, N-CHANNEL IGBT, 6 INCH, WAFER

IRG4CH30KBPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JESD-30 代码O-XUUC-N
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON

IRG4CH30KBPBF相似产品对比

IRG4CH30KBPBF
描述 1200V, N-CHANNEL IGBT, 6 INCH, WAFER
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌)
包装说明 UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant
其他特性 ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 O-XUUC-N
元件数量 1
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 ROUND
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 NOT SPECIFIED
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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