10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 通道, N沟道, 硅, POWER, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 6 |
最小击穿电压 | 60 V |
加工封装描述 | 6 X 5 MM, LEAD FREE, COMPACT, CASE 506BT, DFN8, SOP-8 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 2 |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 10 A |
额定雪崩能量 | 40 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0130 ohm |
最大漏电流脉冲 | 190 A |
NVMFD5873NLWF | NVMFD5873NL | |
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描述 | 10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
端子数量 | 6 | 6 |
最小击穿电压 | 60 V | 60 V |
加工封装描述 | 6 X 5 MM, LEAD FREE, COMPACT, CASE 506BT, DFN8, SOP-8 | 6 X 5 MM, LEAD FREE, COMPACT, CASE 506BT, DFN8, SOP-8 |
状态 | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes | Yes |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN |
元件数量 | 2 | 2 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 10 A | 10 A |
额定雪崩能量 | 40 mJ | 40 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0130 ohm | 0.0130 ohm |
最大漏电流脉冲 | 190 A | 190 A |
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