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NVMFD5873NLWF

产品描述10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小82KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVMFD5873NLWF概述

10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 通道, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

NVMFD5873NLWF规格参数

参数名称属性值
端子数量6
最小击穿电压60 V
加工封装描述6 X 5 MM, LEAD FREE, COMPACT, CASE 506BT, DFN8, SOP-8
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量2
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流10 A
额定雪崩能量40 mJ
最大漏极导通电阻0.0130 ohm
最大漏电流脉冲190 A

NVMFD5873NLWF相似产品对比

NVMFD5873NLWF NVMFD5873NL
描述 10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 10 A, 60 V, 0.013 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 6 6
最小击穿电压 60 V 60 V
加工封装描述 6 X 5 MM, LEAD FREE, COMPACT, CASE 506BT, DFN8, SOP-8 6 X 5 MM, LEAD FREE, COMPACT, CASE 506BT, DFN8, SOP-8
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 DRAIN DRAIN
元件数量 2 2
晶体管元件材料 SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流 10 A 10 A
额定雪崩能量 40 mJ 40 mJ
最大漏极导通电阻 0.0130 ohm 0.0130 ohm
最大漏电流脉冲 190 A 190 A

 
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