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SS25AF5

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小634KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SS25AF5概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

SS25AF5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SS25AF5文档预览

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SS22A THRU SS220A
Surface Mount Schottky Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Guardring for overvoltage protection
● Low power losses, high efficiency
● High forward surge capability
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
Mechanical Data
Package:
DO-214AC (
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
SS
PARAMETER
SYMBOL
UNIT
22A
23A
24A
25A
26A
SS
Device marking code
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@60Hz Half-sine wave, Resistance load,
Ta (FIG.1)
Surge(Non-repetitive)Forward Current
@ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature
VRRM
V
22A
20
23A
30
24A
40
25A
50
26A
60
28A
80
210A
100
215A
150
220A
200
28A
210A
215A
220A
IO
A
2.0
IFSM
Tj
Tstg
A
-55~+125
50
-55 ~+150
-55 ~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
UNIT
TEST
CONDITIONS
IFM=2.0A
Ta=25℃
IRRM
mA
Ta=100℃
10
5
SS
22A
23A
0.50
0.50
24A
25A
26A
28A
210A
215A
220A
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage
per diode@ VRM=VRRM
VF
V
0.70
0.85
0.10
0.90
1/4
S-S128
Rev. 2.3, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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