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BUZ309

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小412KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ309概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BUZ309规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codenot_compliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BUZ309相似产品对比

BUZ309 BUZ22A BUZ377 BUZ77
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Transistor Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant not_compliant
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
配置 Single - Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.8 A - 5.5 A 2.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 - e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W - 125 W 40 W
表面贴装 NO - NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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