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PJLEDS10250CT

产品描述RECTIFICATION FUNCTION IN FLYBACK CONVERTER FOR LED POWER
文件大小143KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJLEDS10250CT概述

RECTIFICATION FUNCTION IN FLYBACK CONVERTER FOR LED POWER

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PJLEDS10250CT
RECTIFICATION FUNCTION IN FLYBACK CONVERTER FOR LED POWER
VOLTAGE
FEATURES
• Ideal for rectification function in flyback converter for LED power.
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• High surge capacity.
• Extremely low leakage current, suitable for high temperature ambiance.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
250 Volts
CURRENT
10 Amperes
MECHANICALDATA
• Case : TO-220AB Molded plastic
• Terminals : Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity : As marked.
• Weight : 0.0655 ounces, 1.859grams.
• Marking : LEDS10250CT
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c ur re nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi m um RMS Vo lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve r a g e F o rwa rd C urre nt
P e a k F o rwa rd S ur g e C urr e nt, 8 . 3 m s s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o s e d o n r a te d lo a d
Ma xi m um F o r wa rd Vo lt a g e a t 5 A , p e r e le me nt
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur re nt a t Ra t e d D C B lo c k i ng
Vo lt a g e
Ma xi m um Re ve r s e Re c o ve ry Ti me (No t e 2 )
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i t a nc e (No t e 1 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s t a nc e (No t e 3 )
Op e r a ti ng J unc t i o n a nd S to r a g e Te m p e ra t ure Ra ng e
S YMB OL
V
RRM
V
RM S
V
DC
VA L UE
250
175
250
10
5
150
0 .9 3
0 .2
30
62
2
-5 5 to + 1 5 0
UNITS
V
V
V
A
A
V
A
ns
pF
O
per device
per diode
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
J
C
T
J
, T
S TG
C / W
O
C
NOTES :
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25A.
3. Mounted on infinite heatsink.
June 19,2013
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PAGE . 1
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