Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC4102R

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2SC4102R: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小215KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SC4102R概述

Transistor

2SC4102R规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

2SC4102

FEATURES



High Breakdown Voltage



Complements the 2SA1579

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

ΘJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

120

200

625

150

-55½+150

Unit

℃/W

℃

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

TRANSISTOR (NPN)

SOT–323

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

Test

=50µA, I

=1mA, I

=50µA, I

=100V, I

=4V, I

=6V, I

=2mA

=10mA, I

=1mA

=12V,I

=2mA ,f=100MHz

=12V, I

=0, f=1MHz

140

2.5

180

conditions

Min

120

500

560

0.5

MHz

Typ

Max

Unit

CLASSIFICATION OF

RANK

RANGE

MARKING

180–390

270–560

A,Oct,2010

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意法半导体披露 2027-2028 年财务模型及2030年目标实现路径

制定中期财务模型：2027-2028年营收约180亿美元，营业利润率22-24%重申200亿+美元营收目标和相关财务模型，目前预计2030年完成营收目标2024年11月22日，中国–服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；)于前天在法国巴黎举办了资本市场日活动。在公司战略保持不变的框架内，意法半导...[详细]
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台积电将为日本瑞萨电子生产芯片比对方要求速度更快

北京时间4月16日早间消息，据报道，NHK消息，日本芯片制造商瑞萨的工厂上个月遭遇火灾，生产受到影响，它将部分产品外包给台积电生产。　　知情人士称，台积电已答应了日本政府和瑞萨的请求，将加速出货，比对方要求的时间更快。　　3月19日火灾发生之后，瑞萨位于东京东北部茨城县（IbarakiPrefecture）的工厂部分停产。下周一之前，瑞萨工厂生产将会有所恢复，但出货要几个月才能达到火灾...[详细]
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SIA敦促美国政府采取行动，以加强美国的半导体供应链

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尽管Intel目前困难重重，但仍然是半导体界领袖

日前，英特尔宣布将NAND业务悉数出售给SKHynix，再加上不久前英特尔宣布芯片生产部分外包给台积电，这让人觉得英特尔正在走下坡路。特拿出SemiWiki创始人DanielNenni的文章，实际上英特尔目前还是美国半导体业的霸主，无论是设计还是制造业。值得一提的是，英特尔已经凭借其最新的异构集成原型(SHIP)技术,获得了美国国防部的第二阶段订单。文章来源：SemiWiki创始人Da...[详细]
2020前三季度集成电路产量达1822亿块，产量同比增长14.7%

10月19日，国家统计局发布前三季度经济报道。前三季度，全国规模以上工业增加值同比增长1.2%，上半年为下降1.3%。9月份，规模以上工业增加值同比增长6.9%，增速比8月份加快1.3个百分点。其中，前三季度，集成电路产量同比增长14.7%。此外，据统计，9月，集成电路产量达241亿块，同比增长16.4%；前三季度，集成电路产量达1822亿块，同比增长14.7%。据澎湃...[详细]
5nm产能让台积电预计四季度营收再破纪录

据国外媒体报道，芯片代工商台积电发布了三季度的财报，营收121.4亿美元，创下新高，净利润同比大增35.9%。虽然台积电的营收在三季度超过120亿美元、创下了新高，但他们预计四季度会更高。台积电目前已对财报进行了更新，加入了对下一季度的业绩预期。在更新后的财报中，台积电预计四季度的营收在124亿美元到127亿美元之间，毛利润率预计在51.5%到53.5%之间。如果台...[详细]

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