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BLF6G10-45,112

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小937KB,共12页
制造商安谱隆(Ampleon)
官网地址http://www.ampleon.com/
标准

Ampleon 创立于 2015 年,但在射频功率领域已引领行业 50 多年。展望未来,公司希望通过在高频应用领域用先进的 LDMOS 和 GaN 技术创新来让世界变得更美好。Ampleon 在全球拥有 1,600 多名员工,致力于通过紧密的合作与伙伴关系、创新的能力和出色的执行力,使其客户成功使用上其射频功率产品。其一致的创新型产品组合为 4G LTE 和 5G NR 基础设施、工业、科学、医疗、广播、航空航天和国防应用带来了一流的产品和解决方案。

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BLF6G10-45,112概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

BLF6G10-45,112规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称安谱隆(Ampleon)
包装说明FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (ID)13 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码S-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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