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LH12B1

产品描述Zener Diode, 12.7V V(Z), 2.7%, 0.5W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小131KB,共4页
制造商优先(苏州)半导体
官网地址http://www.excel-semi.com/
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LH12B1概述

Zener Diode, 12.7V V(Z), 2.7%, 0.5W

LH12B1规格参数

参数名称属性值
厂商名称优先(苏州)半导体
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗35 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压12.7 V
表面贴装YES
最大电压容差2.7%
工作测试电流5 mA

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LH Series
Zener diode
Features
1. Low leakage
2. Low zener impedance
3. High reliability
4. Small surface mounting type
Applications
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
T
j
=25℃
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
P
d
T
j
T
stg
Value
500
175
-55~+175
Unit
mW
Stresses exceeding maximum ratings may damage the device. Maximum ratings are stress ratings only. Functional operation above the
recommended operating conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may
affect device reliability.
Electrical Characteristics
T
j
=25℃
Type
Grade
Zener Voltage
V
Z
(V)
Min
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
Max
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
Dynamic Resistance
r
d
(Ω)
Test
Condition
Max
I
Z
(mA)
100
5
Reverse Current
I
R
(μA)
Test
Condition
Max
V
R
(V)
25
0.5
LH
A1
A2
A3
B1
B2
B3
C1
C2
C3
Test
Condition
I
Z
(mA)
5
2
5
100
5
5
0.5
Excel Semiconductor
www.excel-semi.com
FaxBack +86-512-66607370
Rev. 3e, 1-Nov-2006
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