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BAW70T/R13

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小131KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAW70T/R13概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BAW70T/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Objectid1011994813
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id5455562
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BAW70T/R13文档预览

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BAW56 / BAV70 / BAV99 / BAL99
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
100 Volts
POWER
250mWatts
0.006(0.15)MIN.
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Apporx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.004(0.10)MAX.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma rk i ng C o d e
Re ve rs e Vo lta g e
P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Re c ti fi e d C urre nt (A ve r a g e ), Ha lf Wa ve Re c ti fi c a ti o n wi th
Re s i s ti ve L o a d a nd f > 5 0 Hz
P e a k F o rwa rd S urg e C urr e nt,0 .0 0 1 m s
P o we r D i s s i p a ti o n D e r a te A b o ve 2 5
O
C
S YM B OL
-
V
R
V
RM
I
O
B AW 5 6
JC
B AV 7 0
JA
75
100
150
4 .0
250
B AV 9 9
JB
BAL99
JF
UNITS
-
V
V
mA
A
mW
I
F S M
P
TOT
Ma xi m um F o r wa rd Vo lta g e
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t 2 5 V
75V
Ma xi m um J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te s 1 )
Ma xi m um Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te s 2 )
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e
J unc ti o n Te mp e ra ture Ra ng e
C i rc ui t F i g ure
V
F
0 .7 1 5 @ I
F
= 1 m A
0 .8 5 5 @ I
F
= 1 0 m A
1 .0 @ I
F
=5 0 m A
1 .2 5 @ I
F
=1 5 0 m A
0 .0 3
2 .5
1 .5
4 .0
360
205
-5 5 to + 1 5 0
C o m mo n
A no d e
C o m mo n
C a tho d e
Series
SERIES
O
V
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
R
θ
J C
T
J
-
COMMON ANODE
μ
A
pF
ns
C / W
O
C
-
S i ng le (A lt)
SINGLE (Alt)
COMMON CATHODE
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHz
2.From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
Fig.15
Fig.16
Fig.17
Fig.18
September 30,2010-REV.00
PAGE . 1
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